초록 ▼

1. 최종목표
○포토리소그래피 공정의 주요소재인 노블락 레진 합성(2성분계 및 3성분계)
○공정조건에 따른 분자량 조절과 합성된 노블락 레진의 열적특성 향상
○포토레지스트 재료 제조 및 물성 분석
2. 개발내용 및 결과
○ 반도체 및 LCD제조 공정에서 사용되는 페놀계 노블락 수지의 2성분계와 3성분계(2,5-dimethyphenol, 3,5-dimethyphenol)에서 합성조건을 확립함.
○ Bisphenol A를 사용한 새로운 노블락을 합성함.
○ 합성조건에 따른 분자량 조절과 노블락 레진

1. 최종목표
○포토리소그래피 공정의 주요소재인 노블락 레진 합성(2성분계 및 3성분계)
○공정조건에 따른 분자량 조절과 합성된 노블락 레진의 열적특성 향상
○포토레지스트 재료 제조 및 물성 분석
2. 개발내용 및 결과
○ 반도체 및 LCD제조 공정에서 사용되는 페놀계 노블락 수지의 2성분계와 3성분계(2,5-dimethyphenol, 3,5-dimethyphenol)에서 합성조건을 확립함.
○ Bisphenol A를 사용한 새로운 노블락을 합성함.
○ 합성조건에 따른 분자량 조절과 노블락 레진의 열적특성 향상
○ 노블락 수지 액상상태로 합성 공정 확립
○ 포토 리소그래피 공정조건 확립
○ PR소재 제조 및 물성특성 분석
○ I-Line 노광장치를 이용하여 패턴 특성 분석
3. 사업성과
○ 기술적 성과 : 포토리소그래피 공정에서 사용되는 페놀계 노블락 수지의 합성조건을 확립하였고, 합성조건에 따른 분자량 조절 및 노블락 레진의 열적특성 향상하였으며, PR소재 제조 및 물성특성 분석을 통하여 포토 리소그래피 공정조건을 확립하여 PR 소재기반기술을 활용함, 또한 이 과정에서 공정의 편리성을 가져오는 노블락 수지 액상상태로 합성 공정을 개발함
○ 경제적 성과 : 반도체 고집적도 달성을 결정하는 핵심 재료로서, 수입 의존도가 높은 PR소재 기반기술 개발은 국내 공정기술은 대기업 주도하고 있으나 PR소재 관련 연구 및 자료부족으로 전기·전자 분야에서 국내에 취약함을 보이는 핵심 재료산업 발전에 기여할 것이며, 고해상도를 갖는 초미세가공용 포토레지스트 개발에 활용하여 기술적 우위를 점하고 이를 바탕으로 다양한 분야(LCD, 인쇄제판용 재료, UV 잉크, 정보기록용 재료, 치과용 재료)에 활용될 수 있을 것이다.
○ 활용성과 등 : PR소재합성기술, 물성특성 조절기술 및 공정조건 확립등을 통하여 향후 전기전자분야에서 핵심기술인 초미세가공용 포토레지스트 개발에 활용하여 다양한 분야의 기술적 우위를 통한 수출경쟁력에 도움이 될 것으로 판단됨
4. 향후추진계획
본 기술개발을 통하여 PR소재와 관련된 기술을 확보하였으며, 향후 포토리소그래피 공정에서 보다 정밀한 공정조건의 확립과 초미세가공용 PR개발과 관련된 보완적 연구가 필요한 것으로 판단됨.

목차 Contents

• 3. 과제별 세부 집행내역(과제별 작성) ...1
• Ⅰ. 조성 금액 ...1
• Ⅱ. 과제개발비 집행내역 ...1
• 개발결과의견서 ...3
• 최종보고요약서 (초록) ...4
• 목 차 ...6
• 제 1 장 서론 ...7
• 제 1 절 기술개발의 개요 ...7
• 제 2 절 국내·외 기술현황 ...9
• 제 3 절 국내·외 시장규모 ...10
• 제 2 장 과제개발 내용 및 방법 ...12
• 제 1 절 개발의 기술적 배경 ...12
• 제 2 절 기술개발의 내용 및 범위 ...14
• 제 3 절 기술개발 방법 ...16
• 제 4 절 기술개발의 결과 ...22
• 제 3 장 사업성과 ...34
• 제 1 절 기술적 측면...34
• 제 2 절 경제·산업적 측면 ...34
• 제 3 절 활용방안...34
• 제 4 장 결론 ...35
• 참고문헌 ...36