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NTIS 바로가기주관연구기관 | 국민대학교 KookMin University |
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연구책임자 | 이장식 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2011-02 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201200002253 |
과제고유번호 | 1345119092 |
사업명 | 일반연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-05-20 |
키워드 | 비휘발성 메모리.플래시 메모리.나노구조.자기조립.프린팅 소자.Nonvolatile memory.Flash memory.Nano-structures.Self-assembly.Printed devices. |
본 연구를 통해 얻어진 자기 정렬된 나노 결정층을 이용한 제어가능하고, 조절가능한 정보저장 특성을 갖는 비휘발성 메모리 소자를 위한 정보저장층의 핵심소재 개발을 통해 향후 고집적도의 비휘발성 메모리소자 분야로 연구결과를 활용하고자 한다. 이를 통해 나노 기술 분야를 실제 반도체 산업 분야에 적용가능함을 보여주고자 한다. 또한 향후 새로운 방법으로 형성된 비휘발성 메모리 정보저장층을 이용하여 charge trapping mechanism, electron/hole density 및 distribution 분석, tunneling me
Proposed research will play a key role in industrial applications as well as academic area in the field of next generation novolatile memory devices. It will give a significant impact on applying nanoscale understandings and methodologies to manufacturing the accessible nonvolatile memory devices in
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