최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 공주대학교 산학협력단 |
---|---|
연구책임자 | 임진형 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2011-06 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201200003033 |
과제고유번호 | 1345124693 |
사업명 | 일반연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-05-20 |
키워드 | 기공형성물질.저유전 층간 절연막.나노기공 소재.porogen.low-k dielectrics.nanoporous materials. |
본 연구의 최종목표는 차세대 반도체 디바이스에 필요한 유전상수가 2.0이하의 초 저유전층간 절연막을 실제 반도체 공정에 적용할 수 있는 기반기술의 확보하기 위함이다. 1차년도 연구 목표은 3 nm이내의 나노기공을 저유전 전구체인 SSQ (silsesquioxane) 매트릭스내에 pore collapse 없이 도입할 수 있는 최적의 나노입자형 기공형성물질을 개발하고자 하였다. 2차년도 연구 목표는 제조된 저유전 박막내의 나노 기공의 구조 및 나노 입자형 기공 형성물질로부터 생성되는 pore forming mechanism을 In-si
The final goal of this research was a development of a solution of fundamental technology for adopting ultra low-k dielectrics materials to next generation semiconductor process. The goal of first year was a development of well designed nanoparticle type porogen, which could be formed nano pore belo
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.