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NTIS 바로가기주관연구기관 | (주)디엔에프 |
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연구책임자 | 김명운 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-11 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201800039683 |
과제고유번호 | 1415142535 |
사업명 | 소재부품기술개발 |
DB 구축일자 | 2018-11-03 |
키워드 | 반도체.증착.유전 상수.Ultra low-k.Low-k.Precursor.CVD. |
□ 핵심기술
◆ Porogen을 포함하는 Single Precursor 개발
□ 최종목표
◆ k value : ≤2.5
◆ Dielectric loss : ≤10%
◆ Young's Modulus : ≥10GPa
◆ Hardness : ≥5GPa
◆ Shrinkage : ≤3%
◆ Leakage Current : ≤5E-5A/cm2
◆ CTE : ≤20ppm/℃
◆ Etch Selectivity : ≥15
◆ Chemical Resistance
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