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| 연구책임자 | 조규성 |
|---|---|
| 참여연구자 | 김형택 , 김종열 , 김찬규 , 강동욱 |
| 보고서유형 | 1단계보고서 |
| 발행국가 | 대한민국 |
| 언어 | 한국어 |
| 발행년월 | 2011-02 |
| 과제시작연도 | 2010 |
| 주관부처 | 교육과학기술부 |
| 등록번호 | TRKO201200003257 |
| 과제고유번호 | 1345124505 |
| 사업명 | 원자력연구기반확충사업 |
| DB 구축일자 | 2013-04-18 |
| 키워드 | 전자빔.감마선.고선량 방사선.내방사선.CMOS 영상센서.실리콘포토멀티플라이어.Electron Beam.Gamma ray.High dose radiation.Radiation hardness.XCIS.SiPM. |
- 전자빔과 감마선 조사에 따른 X-선 용 CMOS Image Sensor 의 영상 열화분석
- 전자빔과 감마선 조사에 따라 CMOS Image Sensor에서 각 column마다 있는 바이어스 회로의 n-type MOSFET들의 문턱전압강하의 차이에 의한 FPN가 가시적으로 가장 크게 나타남
- 감마선 조사에 따라 displacement effects와 ionization effects에 의해 모든 CMOS active pixel에서 암전류의 증가를 보임
- 감마선과 전자빔의 조사에 따라 nwell/psub 구조의
In this research, we analyze the characteristic changes using electric beam and gamma ray in the X-ray CMOS image sensor (CIS) and SiPM (Silicon Photon Multiplier). In X-ray CIS, first we get the data of effected image that is made by array. And second, we get the change of dark current of three typ
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