초록 ▼

- 막 두께 균일성 향상지원
· 다양한 재료에 대해 증착 조건(증착속도, 온도, 지그 등)에 따른 특성을 분석함으로써 증착 물질의 최적조건을 확보.
- 기판 온도 균일성 향상 지원
· 기판 온도에 따른 증착 물질의 물성 변화 및 시스템 내에서 기판의 온도 분포를 분석
- 저온 증착을 위한 진공 chamber 및 지그 기술지원
· 기판지그가 증착균일성에 미치는 영향을 확인하고 이를 토대로 증착 물질의 저온 증착을 위한 방법을 제안
- 이온 보조빔 (ion Assisted Beam) 성능향상
· 기

- 막 두께 균일성 향상지원
· 다양한 재료에 대해 증착 조건(증착속도, 온도, 지그 등)에 따른 특성을 분석함으로써 증착 물질의 최적조건을 확보.
- 기판 온도 균일성 향상 지원
· 기판 온도에 따른 증착 물질의 물성 변화 및 시스템 내에서 기판의 온도 분포를 분석
- 저온 증착을 위한 진공 chamber 및 지그 기술지원
· 기판지그가 증착균일성에 미치는 영향을 확인하고 이를 토대로 증착 물질의 저온 증착을 위한 방법을 제안
- 이온 보조빔 (ion Assisted Beam) 성능향상
· 기존의 Ion Source의 성능을 증착 물질을 물성 분석을 통하여 분석하고 시스템을 개선

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 종합기술지원사업 기술지원성과보고서 ... 3
• 기술지원성과 요약서 ... 4
• 목차 ... 9
• 제 1 장 서론 ... 11
• 제 1 절 기술지원 필요성 ... 11
• 제 2 절 기술지원 목표 ... 14
• 제 3 절 기술지원 내용 ... 14
• 제 2 장 본론 ... 15
• 제 1 절 기술지원 성과 ... 15
• 제 2 절 기술지원 내용 ... 16
• 1. 전자빔 증착 시스템 이해 (기술정보 제공 및 교육훈련) ... 16
• 1.1 증착원리 및 특징 ... 16
• 1.2 전자빔 증착기의 구성 ... 20
• 1.3 이온빔 작동원리 ... 21
• 1.3-1 이온빔 특성 ... 23
• 1.4 이온 건의 응용 및 전망 ... 26
• 1.4-1 이온 빔 에칭 ... 26
• 1.4-2 이온 빔 세척 ... 26
• 1.4-3 이온 빔 증착 ... 27
• 1.5 전자빔 증착 박막의 조직 ... 29
• 1.5-1 증착 박막에 영향을 미치는 인자 ... 29
• 1.5-2 박막 성장모드 ... 29
• 1.5-3 박막 미세조직 ... 31
• 2. 보조 이온 건을 이용한 시스템 구성 및 실험방법 ... 33
• 2.1 증착 시스템의 구성 ... 33
• 2.2 보조 이온빔 장착에 따른 문제점 및 해결 ... 35
• 2.3 증착 기판의 준비 ... 36
• 2.4 증착 공정 ... 36
• 2.5 시편 분석 방법 ... 37
• 3. 전자 빔 및 보조 이온 빔으로 증착된 막의 특성 결과 ... 37
• 3.1 기판의 온도 분포 ... 37
• 3.2 금속 박막의 균일성 측정 ... 40
• 3.3 산화물 박막에 미치는 이온빔 보조 효과 ... 43
• 3.3-1 SiO₂박막 ... 44
• 3.3-1-1 박막구조 ... 44
• 3.3-1-2 미세조직 ... 48
• 3.3-1-3 분광특성 ... 50
• 3.3-1-4 조성분석 ... 53
• 3.3-2 TiO₂박막 ... 55
• 3.3-2-1 박막구조 ... 55
• 3.3-2-2 미세조직 ... 57
• 3.3-2-3 분광특성 ... 59
• 제 3 절 기술지원 수행 ... 63
• 1. 기술지원 추진 일정 ... 63
• 2. 수행 주체들의 담당업무 수행 정도 및 수행 방법 ... 64
• 3. 기자재 활용 ... 64
• 제 3 장 결론 ... 66