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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 윤대호 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2008-03 |
주관부처 | 산업자원부 |
사업 관리 기관 | 산업자원부 Korea Institute for Industrial Economics and Trade |
등록번호 | TRKO201200005376 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 수직 경사 응고법.화합물 반도체.결정 성장.낮은 결함.갈륨.비소.VGF.compound semiconductor.crystal growth.low defect.GaAs. |
-. 최적의 성장조건하에서 낮은 결함밀도의 VGF (Vertical Gradient Freeze) 성장로에 대한 성능을 구현하여 수율 향상
-. VGF (Vertical (Gradient Freeze) 성장기술의 성장온도구배 및 냉각속도 조절법 확립
-. VGF 법에 의해 제조된 기판의 결정결함 평가기술 확립
-. 부재료인 PBN등의 평가 기술 확립
-. 해외 경쟁사에 대한 최신의 정보 제공을 통해 발 빠른 대응, 대처
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