최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 경희대학교 Kyung Hee University |
---|---|
연구책임자 | 이호선 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-06 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201300010468 |
과제고유번호 | 1345157541 |
사업명 | 기본연구지원사업 |
DB 구축일자 | 2013-06-29 |
◉ 실리콘을 이용한 플래시기억소자의 단점을 극복하기 위한 노력으로 새로운 물질로 이루어진 비휘발성 메모리 연구가 활발하다. 상변환기억(phase change memory, PCM) 재료는 광학적 기억 소자는 물론 전기적 기억소자 (예:PRAM)로도 유용하게 쓰일 수 있다. 고저항의 비정질 상태와 저저항의 결정질 상태 사이의 빠르고 가역적인 상전이를 이용하여 비휘발성 기억 소자를 제작한다. 현재로는 PCM의 상업적 이용은 주로
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.