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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서강대학교 Sogang University |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-12 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 Ministry of Education and Science Technology(MEST) |
등록번호 | TRKO201300012044 |
과제고유번호 | 1345145989 |
사업명 | 중견연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-08-26 |
키워드 | 메모리.전기기계.저전력.나노.제작.모델링.반도체.삼차원 집적.비휘발성.memory.electromechanical.low power.nanoscale.fabrication.modeling.semiconductor.3D integration.nonvolatile. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201300012044 |
연구의 목적 및 내용
○ 최종연구목표: 기존 나노 전기기계 비휘발성 메모리의 기술적 문제들을 극복하여 세계 최고 성능의 새로운 나노 전기기계 비휘발성 메모리를 구현함.
○ 최종결과물의 정량적 목표
- Program 전압 < 4 V
- Erase 전압 < 4 V
- Read 전압 < 3 V
- Endurance cycle > 1000 회
- Retention 시간 > 10 년
- CMOS 공정과의 호환성 ~ 100 %
연구결과
- 전기기계 메모리의 축소화 경향을 해석학적인 방법과
Purpose& contents
○ Final goal: Development of Low-Power Nano-Electromechanical Nonvolatile
Memory Cells ○ Expected performance of the final product
- Program voltage < 4 V
- Erase voltage < 4 V
- Read voltage < 3 V
- Endurance cycle > 1000 times
- Retention 시간 > 10 years
- C
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