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[국가R&D연구보고서] 전자빔 조사시설을 이용한 방사선 센서 핵심 부품의 내방사선 조사 연구
irradiation damage study of radiation sensor 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술원
Korea Advanced Institute of Science and Technology
보고서유형1단계보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2011-03
과제시작연도 2010
주관부처 교육과학기술부
Ministry of Education and Science Technology(MEST)
연구관리전문기관 한국연구재단
National Research Foundation of Korea
등록번호 TRKO201300012772
과제고유번호 1345124505
사업명 원자력연구기반확충사업
DB 구축일자 2013-08-26
키워드 전자빔.감마선.선량 방사선.방사선.CMOS 영상센서.실리콘포토멀티플라이어.Electron Beam.Gamma ray.High dose radiation.Radiation hardness.XCIS.SiPM.
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201300012772

초록 ▼

Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
본 연구의 내용은 방사선을 측정하는 센서의 핵심부품인 X-선 용 CMOS Image Sensor(CIS), SiPM(Silicon Photon Multiplier)을 전자빔과 감마선을 이용하여 고선량 방사선 환경을 모사하여 특성 변화를 분석하였다. X-선용 CIS의 경우 array로 구성되어 영상을 얻을 수 있는 CIS의 가시적인 영상의 변화와 세 가지 다른 포토다이오드 구조를 갖는 single pixel의 암전류 변화를 분석하였다. SiPM의 경우 12가지 다른 구조를 갖는 sample에 대해

Abstract ▼

Ⅲ. Contents and Ranges for research
In this research, we analyze the characteristic changes using electric beam and gamma ray in the X-ray CMOS image sensor (CIS) and SiPM (Silicon Photon Multiplier). In X-ray CIS, first we get the data of effected image that is made by array. And second, we get

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제출문 ... 2
  • 보고서 요약서 ... 3
  • 요약문 ... 5
  • SUMMARY ... 8
  • CONTENTS ... 11
  • 목차 ... 13
  • 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 15
  • 제 1 절 연구개발의 목적 ... 15
  • 제 2 절 연구개발의 필요성 ... 15
  • 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 16
  • 제 1 절 국외 기술 현황 ... 16
  • 제 2 절 국내 기술 현황 ... 16
  • 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 17
  • 제 1 절 실리콘 디바이스에서의 방사선 영향 ... 17
  • 제 2 절 실험 장치 ... 19
  • 제 3 절 실험 표본 ... 21
  • 제 4 절 전자빔 및 감마선 조사 결과 및 분석 ... 24
  • 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 43
  • 제 1 절 연구개발목표의 달성도 ... 43
  • 제 2 절 관련분야에의 기여도 ... 43
  • 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 44
  • 제 1 절 추가연구의 필요성 ... 44
  • 제 2 절 타연구에의 응용 ... 44
  • 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 45
  • 제 7 장 참고문헌 ... 46

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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