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NTIS 바로가기주관연구기관 | 호서대학교 산학협력단 Hoseo University |
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보고서유형 | 2단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2011-04 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 교육과학기술부 Ministry of Education and Science Technology(MEST) |
등록번호 | TRKO201300013301 |
과제고유번호 | 1345123382 |
사업명 | 원자력연구기반확충사업 |
DB 구축일자 | 2013-07-29 |
키워드 | 투명 박막.박막 트랜지스터.산화아연.전자 빔 조사.플렉시블 디스플레이.인듐-갈륨 ZnO(IGZO).transparent thin film.thin film transistor (TFT).ZnO.electron beam radiation.flexible display.IGZO. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201300013301 |
Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
- 본 연구에서는 우선 기판을 SiO2/Si 또는 glass, 증착온도를 25°C(상온)-300°C, 그리고 산소분압(O2 fraction)을 0 - 0.9을 사용하여 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 “ZnO/IGZO sputter 박막 증착 연구”를 성공적으로 수행하였다.
- 또한 증착된 AZO 박막들을 전자빔 에너지= 0.8MeV, 전자빔 dose (전자수/cm2) = 1×1014 -4.7×1016의 조건으로 전자빔 조사 처리를 하여 “고에너지 전자빔 조사의 AZO박막 특성에 미치는 영
1. We demonstrated the effects of O2 fraction on the properties of high-energy electron beam irradiation(HEEBI) treated Al-doped ZnO (AZO) films prepared by radio frequency magnetron sputtering using various O2 fraction conditions. Hall and photoluminescence (PL) measurements revealed that for HEEBI
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