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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국재료연구원 Korea Institute of Machinery and Materials |
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보고서유형 | 2단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-01 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201300014536 |
과제고유번호 | 1415118566 |
사업명 | 재료연구소연구운영비지원 |
DB 구축일자 | 2013-10-05 |
키워드 | 산화물반도체.p타입전도.투명전자소자.박막트랜지스터.oxide semiconductor.p-type conduction.transparent electronic device.TFT. |
Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
• 금속산화물 소재는 일반적으로 n타입의 전도특성을 나타낸다. 이는 금속산화물에 존재하는 고유의 결함인 산소공공과 격자간 금속이온이 electron donor의 역할을 하기 때문이다. 따라서, p타입 특성을 얻기 위해서는 산화물 소재 내의 electron donor 생성을 막고, acceptor역할을 하는 도핑물질을 충분히 치환고용시켜야 한다.
• 본 연구에서는, 주석산화물 박막소재를 활용한 p타입 반도체를 개발하기 위해 이종 금속(acceptor)의 도핑효과와 전하상쇄효과를 줄이기 위한 신
Transparent conducting oxides are widely used in a variety of applications such as flat-panel displays, solar cells, and organic light emitting diodes. Recently, much attentions is still paid on transparent oxide materials for transparent electronic and optoelectronic devices. But, the oxides are mo
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