초록 ▼

Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
• 금속산화물 소재는 일반적으로 n타입의 전도특성을 나타낸다. 이는 금속산화물에 존재하는 고유의 결함인 산소공공과 격자간 금속이온이 electron donor의 역할을 하기 때문이다. 따라서, p타입 특성을 얻기 위해서는 산화물 소재 내의 electron donor 생성을 막고, acceptor역할을 하는 도핑물질을 충분히 치환고용시켜야 한다.
• 본 연구에서는, 주석산화물 박막소재를 활용한 p타입 반도체를 개발하기 위해 이종 금속(acceptor)의 도핑효과와 전하상쇄효과를 줄이기 위한 신

Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
• 금속산화물 소재는 일반적으로 n타입의 전도특성을 나타낸다. 이는 금속산화물에 존재하는 고유의 결함인 산소공공과 격자간 금속이온이 electron donor의 역할을 하기 때문이다. 따라서, p타입 특성을 얻기 위해서는 산화물 소재 내의 electron donor 생성을 막고, acceptor역할을 하는 도핑물질을 충분히 치환고용시켜야 한다.
• 본 연구에서는, 주석산화물 박막소재를 활용한 p타입 반도체를 개발하기 위해 이종 금속(acceptor)의 도핑효과와 전하상쇄효과를 줄이기 위한 신공정기술 개발에 대한 연구를 수행한다.
• 오믹접합물질 탐색을 통해 p형 산화물반도체 소재의 소자화 기반기술을 확보하고, 다이오드 및 TFT 형태의 prototype소자를 제조하여 평가한다.

Abstract ▼

Transparent conducting oxides are widely used in a variety of applications such as flat-panel displays, solar cells, and organic light emitting diodes. Recently, much attentions is still paid on transparent oxide materials for transparent electronic and optoelectronic devices. But, the oxides are mo

Transparent conducting oxides are widely used in a variety of applications such as flat-panel displays, solar cells, and organic light emitting diodes. Recently, much attentions is still paid on transparent oxide materials for transparent electronic and optoelectronic devices. But, the oxides are mostly limited to n-type device applications since the lack of suitable p-type oxide conductors. In this work, we synthesized a new oxide semiconductor thin film with p-type conduction. Tin oxide was used as the host material and the doping effects of several cations were investigated along with the help of an anion addition to suppress the charge compensation problem. In this year, we could obtain quite promising results on the p-type tin oxide semiconductor using sputtering process and appropriate post-annealing conditions. To find ohmic contact materials to the p-type oxide, the circular TLM methods were adopted. An appropriate combination of Ni/Au contact and corresponding annealing conditions were proposed. With the preliminary results, we fabricated several prototype devices such as pn diode and TFT. Even though the device performances are not satisfactory, the nature of p-type conduction of our films were confirmed. In the next step, we are going to improve the reliability of the p-type oxide semiconductor films. In addition, a new material system prepared by atomic layer deposition method will be studied.

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 보고서 초록 ... 3
• 요약문 ... 4
• SUMMARY ... 5
• CONTENTS ... 6
• 목차 ... 7
• 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 8
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 9
• 2.1절 국내외 연구개발 동향 및 문제점 ... 9
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 11
• 3.1 Tin oxide계 p타입 반도체의 Ohmic contact 물질 연구 ... 11
• 3.2 p타입 Tin oxide 반도체박막을 이용한 소자제작 ... 15
• 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 21
• 4.1절 기술적 측면 ... 21
• 4.2절 경제.산업적 측면 ... 21
• 4.3절 사회.문화적 측면 ... 22
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 23
• 제 6 장 참고문헌 ... 24