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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광운대학교 Kwangwoon University |
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연구책임자 | 조원주 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-05 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201300018543 |
과제고유번호 | 1345148943 |
사업명 | 신진연구지원사업 |
DB 구축일자 | 2013-09-21 |
본 연구에서는 다결정 실리콘 (polycrystalline silicon) 박막트랜지스터 (thin film transistor, TFT) 를 이용한 수직방향으로 3차원 적층된 single transistor dynamic random-access memory (1T-DRAM) 에 관해 연구하였다. 실제 소자 제작에 앞서 SOI MOSFET 및 1T-DRAM의 동작 조건과 소자 크기를 파악하기 위해 SILVACO 사의 simulation tool을 이용하였고, 이를 바탕으로 3차원 적층된 1T-DRAM의 고성능 하부 MOSFET을
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