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NTIS 바로가기주관연구기관 | 경남대학교 KyungNam University |
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연구책임자 | 최현주 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-08 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201800003652 |
과제고유번호 | 1711041785 |
사업명 | 개인연구지원 |
DB 구축일자 | 2018-04-21 |
키워드 | 원자층 박막.기계적 물성.주름측정법.전사공정.유연전자소자.고유전율 박막.Atomic layer thin film.Mechanical properties.Wrinkle-based Measurement.Transfer printing.Flexible electronic devices.High-K material thin film. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201800003652 |
연구의 목적 및 내용
본 연구는 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정을 이용하여 차세대 유연전자소자에 적용 가능한 고품질의 고유전율 게이트 절연막(금속산화물)과 금속 전극을 개발 하고, 새로운 물성 측정법 도입 (주름 기반 측정시험법) 하여 간편하고 빠르며 신뢰성 있는 기계적 물성 측정값을 도출하는데 있다. 또한 이 결과를 토대로 유연 MOSFET 설계와 전사공정(transfer printing)을 이용하여 소자 구현의 공정 요소를 탐색하고 소자 구현의 응용가능성 검토하였다.
- 원자층 박막 증착 공정
Purpose& contents
The purpose of this study is to develop high-quality high-k insulator layer (metal oxide) applicable to the next-generation flexible electronics using ALD (atomic layer deposition) process, and to derive simple, quick and reliable mechanical measurement value of mechanical prope
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