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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서강대학교 Sogang University |
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연구책임자 | 최우영 |
참여연구자 | 이기봉 , 이현국 , 한보람 , 김관용 , 강전근 , 한재환 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-09 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201300019786 |
과제고유번호 | 1345156494 |
사업명 | 나노원천기술개발사업 |
DB 구축일자 | 2013-09-14 |
키워드 | 저전력.트랜지스터.터널링.녹색기술.전자소자.Low power.transistor.tunneling.green technology.electron device. |
Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
본 연구개발은 TFET의 물리적 고찰로 시작한다. 동작원리와 물리적 거동에 대한 이해가 선행되지 않고서는 TFET의 장점을 충분히 활용하기 어렵기 때문이다. MOSFET과의 비교를 통해 현재 TFET의 위치를 파악하고 반전 영역의 형성 원리와 동작영역에 따른 성능 변화 등을 모델링 하였다. 이러한 물리적 고찰을 배경으로 TFET의 기술적 문제점을 해결할 수 있는 아이디어를 도출하고 구현을 위한 핵심 단위 공정 기술을 개발하였다. 개발한 기술을 적용하여 prototype 소자를 제작하고 파라메터를
Ⅲ. Substance and scope of research and development
Our research starts from the physical analysis of TFETs. It would be difficult to make full use of TFETs without advanced study of operation mechanism and physical behavior. First, we have grasped the current position of TFETs by comparing them
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