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NTIS 바로가기주관연구기관 | 동국대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 김형상 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-10 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201300023551 |
과제고유번호 | 1345155176 |
사업명 | 기본연구지원사업 |
DB 구축일자 | 2013-08-26 |
▣ 다양한 자성 금속 도핑이 가능한 자성반도체 성장 첫째, chemical bath deposition 기술을 이용하여 다양한 자성 금속을 반도체에 도핑하여 ZnS 자성 반도체를 성장 하였다. 둘째, 스퍼터링 및 열처리 과정을 이용하여 자성 금속이 도핑된 Si 및 ZnO 박막을 성장하고 박막의 구조적 특성, 전기 광학적 특성을 연구를 진행 하였다. 성장된 Si 박막에 도핑 된 자성금속 원소의 구조적 특성을 이해하기 위해 XRD, TEM 및 자성 특성 측정을 진행 하였다.
▣ 자성 도핑 반도체의 전기적 자기적 특성 연구 성장된
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