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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울시립대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 한문섭 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-06 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201300019029 |
과제고유번호 | 1345152210 |
사업명 | 기본연구지원사업 |
DB 구축일자 | 2013-08-26 |
과제명: 4족 기반 반도체 화합물 나노구조의 형성, 특성평가 및 발광 원리에 관한 연구
◉ 반도체 화합물 나노구조의 형성 및 제어방법 정립
본 연구진은 Chemical Vapor Deposition(CVD)기법, RF magnetron sputtering 증착법, UHV 이온증착법 등 다양한 방법을 통하여 균일하며 고밀도를 갖는 Si 또는 Ge 나노구조 형성에 관한 연구를 지속적으로 수행하였다. 그 결과, 반도체 나노구조의 형성방법 및 형성과정에 대한 이해와 제어방법 정립에 관한 의미있는 연구결과들을 얻을 수 있었다. C
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