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RF 플라즈마 전자빔의 저온결정화 응용 기술 개발
Development of application technology for low temperature crystallization by RF plasma electron beam 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전기연구원
Korea Electrotechnology Research Institute
연구책임자 고락길
참여연구자 하동우 , 김호섭 , 오상수 , 하홍수 , 백승규
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2010-12
과제시작연도 2010
주관부처 미래창조과학부
KA
사업 관리 기관 한국전기연구원
Korea Electrotechnology Research Institute
등록번호 TRKO201300029752
과제고유번호 1415114498
사업명 한국전기연구원연구운영비지원
DB 구축일자 2013-10-05

초록

제 1 절 연구개발의 목적
저온실리콘결정화(LTPS; Low Temperaute Poly Silicon) 기술은 고온에서 열처리 공정에 의한 일반적인 결정화가 아닌 약 400 °C 이하의 저온에서 비정질 실리콘(a-Si)을 결정화 시켜 다결정 실리콘(p-Si)으로 제조하는 기술이다.
p-Si(다결정 실리콘)은 a-Si(비정질 실리콘)에 비해 전계효과 이동도가 100배 이상 크기 때문에 최근 일체형 및 고밀도 LCD와 차세대 디스플레이로 각광 받고 있는 AMOLED에는 p-Si TFT를 사용하고 있다.

목차 Contents

  • 표 지 ... 3
  • 제 출 문 ... 4
  • 보고서 초록 ... 5
  • 요 약 문 ... 6
  • S U M M A R Y ... 7
  • C O N T E N T S ... 7
  • 목 차 ... 8
  • 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 9
  • 제 1 절 연구개발의 목적 ... 9
  • 제 2 절 연구개발의 필요성 ... 11
  • 제 3 절 연구과제의 개요 ... 14
  • 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 17
  • 제 1 절 국내외 기술 수준 현황 ... 17
  • 제 2 절 지적재산권 현황 ... 17
  • 제 3 장 연구개발 수행내용 및 결과 ... 19
  • 제 1 절 전자빔을 이용한 결정화 ... 19
  • 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 26
  • 제 1 절 연구개발목표의 달성도 ... 26
  • 제 2 절 연구개발 관련분야의 기술발전 기여도 ... 26
  • 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 27
  • 제 1 절 추가연구의 필요성 ... 27
  • 제 2 절 타연구에의 응용 ... 27
  • 제 3 절 기업화 추진방향 ... 27
  • 제 6 장 참고문헌 ... 29

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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