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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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보고서유형 | 1단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-07 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 교육과학기술부 Ministry of Education and Science Technology(MEST) |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201300035518 |
과제고유번호 | 1345173499 |
사업명 | 첨단융합기술개발 |
DB 구축일자 | 2013-12-21 |
키워드 | 씨모스.테라헤르츠.플라즈마웨이브트랜지스터.발리스틱 트랜지스터.신호원.검출기.CMOS.THz.Plasma wave transistor.Ballistic FET.THz source.THz detector. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201300035518 |
○ 본 기획연구의 목표는 나노 CMOS 기술 기반 상온 테라헤르츠 발진-검출 소자 구현을 목표로, 기존 전자전송속도의 100배의 파속을 갖는 플라즈마파 트랜지스터의 주파수 와해성 나노공정기술, 초고속 ballistic 전계효과트랜지스터의 RF 소자 기술과 RF 집적회로 기술과 융합 연구를 통해 기존 전자 기술의 주파수 및 출력 한계 극복 원천기술을 발굴하고, 이를 실현하기 위한 추진 전략을 체계적으로 수립하는 것임.
○ 제안 기술은 전자소자 기반의 THz Gap을 메우는 기술적 패러다임 변화를 리드하고, 와해성 기술로써 미래
The goal of this research project is realization of room temperature THz oscillation-detection device based on nano-CMOS technology. Through the nano fabrication technology that break up frequency limitation of plasma wave transistor which has wave velocity 100 times faster than that of existing ele
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