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NTIS 바로가기주관연구기관 | 국민대학교 KookMin University |
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연구책임자 | 김동명 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-03 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202000005203 |
과제고유번호 | 1711086277 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-07-29 |
키워드 | III-V 채널 MOSFET.열-전-광 융합 응답 특성.집적화된 특성 분석 시스템.I-V 응답 특성.C-V 응답 특성.차세대 CMOS.계면 상태 분포 분석.신뢰성 분석과 모델링.Sub-bandgap photon. |
□ 연구개요
본 “Post-CMOS용 III-V 채널 MOSFET의 제작, 집적화된 특성 분석 방법 개발과 열화 메커니즘 분석, 모델링, 및 성능 개선 연구”에서는 Post-CMOS용 III-V 채널 MOSFET의 게이트 구조와 다중 이종 접합, 에피 구조의 복잡화로 인한 전기적 특성변화와 소자 및 시스템의 신뢰성 예측 및 특성 개선을 위해 집적화된 특성 분석 플랫폼을 구현하고 소자 및 그 응용 회로의 특성 개선 응용에 관해 연구하였다.
특히, Post-CMOS용 III-V 채널 MOSFET의 특성에 결정적인 역할을 하는
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