초록 ▼

Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
1. InGaN 기반의 무분극 질화물반도체의 MOCVD 박막 특성 평가 기술 개발(XRD, Hall measurement)
2. metal agglomeration 분포 및 크기 제어 기술을 통한 나노 pillar 마스크 제작 기술
3. 200 nm급 대면적 나노구조 패터닝 공정 응용 기술 개발
4. ICP 에칭을 이용한 LED nano-pillar 형성 및 shape 제어 기술
5. nano-pillar구조 LED의 광특성 평가 기술 (PL dynamics)

Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
1. InGaN 기반의 무분극 질화물반도체의 MOCVD 박막 특성 평가 기술 개발(XRD, Hall measurement)
2. metal agglomeration 분포 및 크기 제어 기술을 통한 나노 pillar 마스크 제작 기술
3. 200 nm급 대면적 나노구조 패터닝 공정 응용 기술 개발
4. ICP 에칭을 이용한 LED nano-pillar 형성 및 shape 제어 기술
5. nano-pillar구조 LED의 광특성 평가 기술 (PL dynamics)
6. 광추출 효율 증가를 위한 표면 처리 기술 개발
7. 무분극 nano-pillar 표면 처리를 통한 nano-pillar sidewall texturing 기술 개발
8. p-GaN 표면을 불균일하게 가공하여 광추출 효율을 개선하는 p-GaN roughning 기술
9. 무분극 GaN 기반 나노-pillar 구조 적용 LED 칩 공정 기술 개발
10. 나노구조 적용 수직형 LED 칩 공정 기술 개발
11. 실제 소자 제작 및 특성 평가
-실제 소자를 제작하여 그 특성을 conventional LED와 비교하여 평가

Abstract ▼

Ⅱ. Results of the research
1. Characterization of non-polar InGaN-based MOCVD. (XRD, Hall measurement)
2. Development of nano-pillar mask making skills through the control the distribution and size of metal agglomeration.
3. Developing the patterning technology with 200 nm-class on the l

Ⅱ. Results of the research
1. Characterization of non-polar InGaN-based MOCVD. (XRD, Hall measurement)
2. Development of nano-pillar mask making skills through the control the distribution and size of metal agglomeration.
3. Developing the patterning technology with 200 nm-class on the large-area wafer.
4. Making a nano-pillar structure and shape control technology applicable to LEDs with ICP etching method.
5. Optical characterization techniques of nano-pillar structured-LED (PL dynamics)
6. Surface treatment technology to enhance the light extraction efficience.
7. Development of nano-pillar sidewall texturing technology through the surface treatment of non-polar nano-pillar wafer surface.
8. Roughening technology of p-GaN surface with non-uniform processing to improve the light extraction efficiency of p-GaN
9. GaN-based LED chip process technology with using non-polar nano-pillar structure.
10. Fab. technology development for nanostructured vertical LED chip.

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 요 약 문 ... 3
• S U M M A R Y ... 5
• 목 차 ... 6
• 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 7
• 제 1 절 연구개발의 목적 ... 7
• 제 2 절 연구개발의 필요성 ... 7
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 9
• 제 1 절 국내현황 ... 9
• 제 2 절 국외현황 ... 10
• 제 3 장 연구 내용 및 결과 ... 11
• 제 1 절 연구목표 ... 11
• 제 2 절 연구내용 및 결과 ... 12
• 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 29
• 제 1 절 목표달성계획 및 달성도 ... 29
• 제 2 절 관련분야에의 기여도 ... 30
• 제 5 장 활용계획 및 기대효과 ... 31
• 제 6 장 참고문헌 ... 32