초록

ㅇ 나노기술을 이용한 고효율 GaN계 LED 개발
-광출력 15mW 이상 (chip size 300x300um2, 파장 460nm) (광추출효율 : 60% 이상, 외부양자효율 : 40% 이상)
-Vf : 3.3V 이하

목차 Contents

• 표지...1
• 제출서...4
• 제출문...5
• 목차...6
• I. 서 론...7
• 1. 인력양성·기술개발·산학연계(정량적 목표 및 실적)...7
• 2. 기술개발(세부내용)...8
• II. 본론 : 연차별 추진내용 및 방법...8
• 1. 1차년도...8
• 2. 2차년도...10
• 3. 3차년도...11
• 가. 인력양성 및 산학협력 활성화 내용...11
• 나. 기술개발 내용 및 성과(수준)...13
• 다. 추진조직의 운영 체계...14
• 라. 사업비 집행 현황(3차년도)...16
• III. 결론...17
• 1. 파급효과...17
• 2. 향후 계획(운영방안)...17
• IV. 별첨자료...18
• 1. 기업파견근무 확인서...18
• 2. 연구비 지출내역 (세목별)...18
• 3. 연구보고서...18
• Part 1) LED 나노구조의 Simulation...19
• I. Introduction...19
• II. 광 결정과 육방정계 주기성의 분석...20
• 1. 2차원의 주기적인 구조의 분석...20
• 2. 육방정계 격자의 밴드갭...22
• III. FDTD 이론...25
• 1. FDTD의 소개...25
• 2. 기본 개념...25
• 3. 3차원에서 Maxwell 방정식의 유한차분표현...27
• IV. 광결정 LED 추출효율 시뮬레이션...28
• 1. 표면 광결정 LED의 광추출효율 최적화...28
• 2. 하부 광결정 LED의 광추출효율 최적화...33
• ● 첨부 1-1) 3D FDTD Algorithm...38
• ● 첨부 1-2) Matlab code for photonic band gab...58
• Part 2) AAO 공정을 이용한 나노구조의 제작...69
• 1. Introduction...59
• 2. 원리 및 실험장치...59
• 3. AAO 제작 특성...72
• 4. Al 코팅 방법에 따른 AAO 특성...74
• 5. 기판위에서 만들어진 AAO를 사용한 나노패턴 전사...75
• 6. 양자점 성장을 위한 35나노주기의 나노패턴 제작...77
• 7. AAO 나노구조물을 이용한 광결정 LED제작과 광결정효과...78
• Part 3) Improved Light Output of Photonic Crystal Light Emitting Diode Fabricated by Anodized Aluminum Oxide Nano-patterns...83
• I. INTRODUCTION...83
• II. DEVICE FABRICATION...84
• III. RESULTS AND DISCUSSION...86
• IV. CONCLUSION...88
• Part 4) Improved light extraction efficiency of InGaN-based light emitting diodes with patterned n-GaN substrate...91
• 1. INTRODUCTION...91
• 2. EXPERIMENTS...92
• 3. RESULTS AND DISCUSSION...95
• 4. CONCLUSION...99
• Part 5) Improved light extraction efficiency in GaN based light emitting diodes by nono-scale roughening of p-GaN surface...101
• 1. INTRODUCTION...101
• 2. EXPERIMENTAL DETAILS...103
• 3. RESULTS AND DISCUSSION...104
• 4. CONCLUSION...110
• ● SEM Pictures for Nano-cluster size measurement ;...112