초록 ▼

연구결과
○1차년도
• InGaN/GaN 양자구조와 CdSe/ZnS 양자점을 이용한 FRET 개념 증명
(PL 측정으로 green/yellow/orange/red 발광 시연)
• 얇은 n-GaN을 상부에 위치시킨 FRET LED 구조로 전류주입 LED 제작
(전류주입 EL 측정으로 green/yellow/orange/red LED 발광 시연)
• 고품위 InGaN/GaN 활성층 성장 기술
• 환경친화적이고 인체에 무해한 CdO을 원료로 이용한 CdSe/ZnS CQD 합성 기술
• CQD 정

연구결과
○1차년도
• InGaN/GaN 양자구조와 CdSe/ZnS 양자점을 이용한 FRET 개념 증명
(PL 측정으로 green/yellow/orange/red 발광 시연)
• 얇은 n-GaN을 상부에 위치시킨 FRET LED 구조로 전류주입 LED 제작
(전류주입 EL 측정으로 green/yellow/orange/red LED 발광 시연)
• 고품위 InGaN/GaN 활성층 성장 기술
• 환경친화적이고 인체에 무해한 CdO을 원료로 이용한 CdSe/ZnS CQD 합성 기술
• CQD 정량 도포기술 (Langmuir-Blodgett method, vertical meniscus deposition)
○2차년도
• 전류주입 EL 측정으로 green/yellow/orange/red 나노 FRET LED 발광 시연
• selective area growth (SAG) InGaN/GaN LED 구조 성장 기술 확보
• 나노 pillar 제작을 위한 자발형성 나노 금속의 dot 크기, 모양, 밀도 제어
• Sacrificial 산화막을 이용한 자발형성 나노 금속 제어
• 나노 pillar 제작을 위한 verticality, aspect ratio 확보를 위한 ICP 에칭 기술
• 나노 pillar 구조에 전극을 형성하기 위한 spin-on glass 기술
• 양자효율 제고를 위한 CdSe/ZnS CQD 합성 기술 (double core/shell, Au/CdSe/ZnS)
○3차년도
• Planar n-top LED 구조에 FRET 개념의 white LED 제작 (Langmuir-Blodgett method 및 Layer-by-layer method를 적용하여 CQD 도포)
• 나노 architecture를 채용하여 발광효율이 획기적으로 증가된 FRET white LED 제작
• 나노 pillar 제작 및 passivation을 위한 photoelectrochemical etching 기술
• CQD 적층을 위한 electrostatic layer-by-layer deposition 고도화 기술
• CQD 및 FRET LED의 광학적 특성 평가 (time resolved PL, micro PL, PL excitation 분광)

Abstract ▼

Result
○ 1st year
• Proof-of-concept demonstration of FRET with InGaN/GaN heterostructures and CdSe/ZnS CQDs (PL demonstration of green/yellow/orange/red emission)
• Realization of electrically driven FRET LED with thin n-GaN top layer
• MOCVD growth of high quality InGaN/GaN active laye

Result
○ 1st year
• Proof-of-concept demonstration of FRET with InGaN/GaN heterostructures and CdSe/ZnS CQDs (PL demonstration of green/yellow/orange/red emission)
• Realization of electrically driven FRET LED with thin n-GaN top layer
• MOCVD growth of high quality InGaN/GaN active layer
• Synthesis of CdSe/ZnS CQD with CdO eco-friendly harmless precursor
• Uniform and quantitative deposition of CQD (Langmuir-Blodgett method, vertical meniscus deposition)
○ 2nd year
• Design and fabrication of nano-architectural LEDs (green/yellow/orange/red LED)
• Realization of electrically driven FRET nano-architectural LEDs (green~red LED)
• Control of self-agglomerated metal dots: shape, density, size, sacrificial oxide layer
• Selective area growth (SAG) of InGaN/GaN LED structure
• ICP etching for verticality and aspect ratio of the nano-structures
• Spin-on glass for electrode formation on the nano-structures
• Synthesis of high efficiency CdSe/ZnS CQD (double core/shell, Au/CdSe/ZnS)
• Surface modification of CQD (ligand, ion exchange)
○ 3rd year
• Fabrication of planar FRET white LED utilizing Langmuir-Blodgett method and electrostatic layer-by-layer deposition for CQD coating
• Quantum efficiency enhancement of FRET white LEDs utilizing nano-architectures
• Surface passivation of pillar-shaped LEDs: Photoelectrochemical etching
• Optical characterizations for CQD and FRET LED (time resolved PL, micro PL, PL excitation)

목차 Contents

• 중견연구자지원사업(핵심연구) 최종보고서(평가용) ... 1
• 목 차 ... 2
• 연구계획 요약문 ... 3
• 연구결과 요약문 ... 4
• SUMMARY ... 5
• 연구내용 및 결과 ... 6
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 6
• 2. 국내외 기술개발 현황 ... 8
• 3. 연구수행 내용 및 결과 ... 14
• 4. 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 37
• 5. 연구결과의 활용계획 ... 38
• 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 38
• 7. 주관연구책임자 대표적 연구실적 ... 40
• 8. 공동연구책임자 대표적 연구실적(핵심공동에 한함) ... 41
• 9. 참고문헌 ... 41
• 10. 연구성과 ... 42
• 11. 기타사항 ... 50
• 끝페이지 ... 60