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NTIS 바로가기주관연구기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 오상호 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-07 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201400007117 |
과제고유번호 | 1345172413 |
사업명 | 신진연구지원사업(연구장비지원) |
DB 구축일자 | 2014-05-31 |
[In-situ TEM 분극 스위칭 분석법 확립]
본 연구에서는 반도체 트랜지스터 및 메모리 소자에 사용되는 대표적인 강유전체인 Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) 박막의 강유전 분극 스위칭 과정을 TEM에서 직접 관찰하였다. In-situ TEM 실험을 위해 상부 및 하부전극을 모두 갖춘 평판형 캐패시터 구조를 제작하였으며, FIB lift-off 방법을 이용하여 TEM 분석에 적합한 두께로 단면시편을 제작하여 상부전극에 DC 전압을 인가하며 강유전 분극의 180o 스위칭 과정을 실시간으로
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