초록 ▼

∎ 본 종료과제의 주요 연구 성과는 아래와 같이 3가지로 나누어 제시함.
ZnO 기반 산화물반도체 박막제작 및 기초 물성 분석
ZnO oxide semiconductor의 다양한 열처리 분위기에서 박막의 전기적 특성의 변화와 밴드갭내 결함 준위와의 상관관계 및 정성적 변화 관찰
∘ 대표적인 sp orbital symmetry를 가지는 binary oxide인 ZnO 박막의 밴드갭 내 결함준위 및 정성적인 양을 위에서 특허 출원한 분광학적 방법을 이용하여 분석함.
∘ ZnO를 기반으로 하는 다양한 산화물의 전기적

∎ 본 종료과제의 주요 연구 성과는 아래와 같이 3가지로 나누어 제시함.
ZnO 기반 산화물반도체 박막제작 및 기초 물성 분석
ZnO oxide semiconductor의 다양한 열처리 분위기에서 박막의 전기적 특성의 변화와 밴드갭내 결함 준위와의 상관관계 및 정성적 변화 관찰
∘ 대표적인 sp orbital symmetry를 가지는 binary oxide인 ZnO 박막의 밴드갭 내 결함준위 및 정성적인 양을 위에서 특허 출원한 분광학적 방법을 이용하여 분석함.
∘ ZnO를 기반으로 하는 다양한 산화물의 전기적 특성과 밴드갭 내 전자구조의 변화의 상관관계를 연구한 것으로 앞으로 이와 관련된 연구의 결과를 제시하는 중요한 연구 결과임.
TiO 기반 산화물반도체 박막제작 및 기초 물성 분석
TiO oxide semiconductor의 다양한 열처리 및 Nb과 V과 같은 metal을 첨가하여 TFT 소자의 작동을 d orbital의 전자구조의 변화 band alignment로 규명함
∘ TiO를 이용하여 TFT 소자를 제작하고 소자 작동의 원리를 TiO의 물리적 구조의 변화가 아닌, 전도대 전자구조의 ordering의 변화와 관련하여 XAS 방법을 이용하여 연구함.
∘ 기본적인 TiO matrix에 이종인 Nb과 Ta를 도핑 하였을 때의 전자구조 변화에 대한 연구도 병행하여 향후 다원소 산화물 연구 기반을 다짐.
물리적인 결함의 측정 및 기초 물성 및 전자구조의 물리적 연관성 분석
산화물 반도체의 SE, XAS, XPS 측정 결과를 이용한 밴드갭을 비롯한 전자구조 정보와 물질의 결함에 대한 에너지 준위 사이의 상관관계 연구를 진행함
∘ 계산되어진 박막의 두께와 Tauc-Lorentian 함수를 이용하여 분석하고자 하는 산화물 반도체 박막의 광학적 특성을 이론적으로 모델링을 통해 연구함.
∘ 기판과 산화물 반도체 박막 사이의 계면에 대한 모델링 및 여러 다른 분석 함수를 이용한 분석 모델링을 통해 산화물 반도체의 전자 구조변화를 규명함.
∘ SE, XAS, XPS 결과를 통한 산화물 반도체 물질의 결함에 대한 에너지 준위 및 정성적인 양 비교 분석을 진행함.
∘ 산화물 반도체의 기초 물성와 SE, XAS, XPS을 통해 분석 되어진 결함 준위의 물리적 상관관계와 산화물 반도체의 전자 구조와 결함 에너지 준위 사이의 상관관계 연구를 위한 결과를 얻음.
∎ 본 종료과제는 3년간 아래 표와 같은 계획 하에 연구 수행되었으며 목표 대비 아주 우수한 성과를 도출하였음.

목차 Contents

• 일반연구자지원사업 최종(결과)보고서 ... 1
• 목차 ... 2
• Ⅰ. 연구결과 요약문 ... 3
• Ⅱ. 연구내용 및 결과 ... 4
• 1. 연구과제의 개요 ... 4
• 2. 국내외 기술개발 현황 ... 4
• 3. 연구수행 내용 및 결과 ... 5
• 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ... 6
• 5. 연구결과의 활용계획 ... 7
• 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 7
• Ⅲ. 연구성과 ... 8
• 끝페이지 ... 10