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NTIS 바로가기주관연구기관 | 중앙대학교 산학협력단 Chung Ang University |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-05 |
과제시작연도 | 2013 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201500004159 |
과제고유번호 | 1345198301 |
사업명 | 중견연구자지원 |
DB 구축일자 | 2015-05-23 |
키워드 | p-type 산화물 박막 트랜지스터.complementary 로직.이동도.게이트 절연체.인버터.특성 열화 현상.전류 전도 메커니즘.구동 회로.p-type oxide TFT.complementary logic.SnO.Cu2O.mobility.gate dielectric.inverter.performance degradation.current conduction mechanism.driving circuit. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201500004159 |
연구의 목적 및 내용
본 연구과제에서는 ‘고성능 고신뢰성 p-type 산화물 박막 트랜지스터 제작 및 산화물 박막트랜지스터 기반 complementary 로직 구현’을 목적으로 3개년에 걸쳐 체계적인 연구가 수행되었다. 3개년에 걸쳐 수행된 연구의 주요 내용을 요약하면 다음과 같다.
-1차년도: SnO, Cu2O 박막의 증착 조건 결정, 게이트 절연체가 p-type 산화물 박막 트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 영향 분석 등 공정 조건 확립을 위한 기본 연구
-2차년도: 보호막 형성을 위한 공정
Purpose&contents
In this project, the research was performed for 3 years to fabricate the high performance and stable p-type oxide TFTs and complementary logic circuits with oxide TFTs. The research topic in each year is as follows.
1. 1st year: The research for the establishment of the fabric
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