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NTIS 바로가기주관연구기관 | 중앙대학교 Chung Ang University |
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연구책임자 | 권혁인 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-06 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201800004237 |
과제고유번호 | 1711037469 |
사업명 | 개인연구지원 |
DB 구축일자 | 2018-04-28 |
키워드 | p-type 산화물 박막트랜지스터.상보로직.산화주석.산화니켈.이동도.전기적 신뢰성.인버터 회로.플라스틱 기판.3차원 적층형 CMOS 공정 기술.p-type oxide TFT.complementary logic.SnO.NiO.field-effect mobility.electrical stability.inverter.plastic substrate.3-D stacked CMOS process. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201800004237 |
연구의 목적 및 내용
본 연구과제에서는 p-type 산화물 박막 트랜지스터의 성능 및 신뢰성 고도화와 유연성 기판 소재 기반 고성능 oxide TFT 상보성 로직 회로의 구현을 목표로 3개년에 걸쳐 체계적인 연구가 수행되었음. 수행된 연구의 주요 내용을 요약하면 다음과 같음.
■1차년도: 고이동도 및 우수한 스위칭 특성을 가진 SnO 기반 고성능 고신뢰성 p-type oxide TFT 개발
■2차년도: 실제 동작 환경하에서의 stress 조건을 반영한 SnO 기반 p-type oxide TFT의 신뢰성 분석 및 Ni
Purpose& contents
In this project, the research was performed for 3 years to fabricate the high performance and stable p-type oxide TFTs and complementary logic circuits with oxide TFTs on the flexible substrate. The research topic in each year is as follows.
1. 1st year: The research for the
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