초록

Ⅳ. 연구개발결과
본 과제의 응용연구단계에서의 결과물로 GaN TR칩, GaN TR칩을 이용한 패키징한 모듈이 있다. 고출력증폭기는 응용연구단계에서 개발되는 GaN TR을 이용하여 제작되어지므로, 평가항목에서 제외되며 설계만 하는 것이 1차년도 계획이다. 응용연구단계서의 GaN TR칩 및 GaN TR모듈은 전반적으로 만족할만한 성능의 결과를 얻었다.

Abstract ▼

Ⅳ. Result of R&D
We bring out GaN TR chip and packaging module using GaN TR chip as a result of this project at application phase. High power amplifier will be fabricated using GaN TR, which is developed at application phase. The plan of 1st year is focused on designing high power amplifier not f

Ⅳ. Result of R&D
We bring out GaN TR chip and packaging module using GaN TR chip as a result of this project at application phase. High power amplifier will be fabricated using GaN TR, which is developed at application phase. The plan of 1st year is focused on designing high power amplifier not fabricating. We got a satisfactory result on performance from GaN TR chip and GaN TR module at application phase.

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 요약문 ... 3
• SUMMARY ... 4
• CONTENTS ... 5
• 목차 ... 6
• 제 1 장 서론 ... 7
• 1 절 연구개발의 목적 ... 7
• 2 절 연구개발의 필요성 ... 7
• 3 절 연구개발 범위 ... 11
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 14
• 1. 국내 • 기술 동향 및 수준 ... 14
• 1. 국외 기술 동향 및 수준 ... 16
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 23
• 1 절 GaN TR칩 ... 23
• 2 절 GaN TR모듈 ... 33
• 3 절 고출력 증폭기 설계 ... 41
• 제 4장 연구개발목표 달성도 ... 68
• 1 절 GaN TR칩 ... 68
• 2 절 GaN TR모듈 ... 68
• 3 절 고출력 증폭기 설계 ... 68
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 70
• 끝페이지 ... 71