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NTIS 바로가기주관연구기관 | (주)기가레인 |
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연구책임자 | 이용구 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-12 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 산업통상자원부 |
사업 관리 기관 | 민군기술협력진흥센터 |
등록번호 | TRKO201500008187 |
과제고유번호 | 1415125557 |
사업명 | 민군겸용기술개발 |
DB 구축일자 | 2015-07-04 |
Ⅳ. 연구개발결과
본 과제의 응용연구단계에서의 결과물로 GaN TR칩, GaN TR칩을 이용한 패키징한 모듈이 있다. 고출력증폭기는 응용연구단계에서 개발되는 GaN TR을 이용하여 제작되어지므로, 평가항목에서 제외되며 설계만 하는 것이 1차년도 계획이다. 응용연구단계서의 GaN TR칩 및 GaN TR모듈은 전반적으로 만족할만한 성능의 결과를 얻었다.
Ⅳ. Result of R&D
We bring out GaN TR chip and packaging module using GaN TR chip as a result of this project at application phase. High power amplifier will be fabricated using GaN TR, which is developed at application phase. The plan of 1st year is focused on designing high power amplifier not f
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