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NTIS 바로가기주관연구기관 | RFHIC(주) |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2015-03 |
과제시작연도 | 2014 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201500008370 |
과제고유번호 | 1711021700 |
사업명 | 연구공동체기술사업화지원 |
DB 구축일자 | 2015-07-11 |
2. 개발내용 및 결과
- High Breakdown Voltage용 IPD(integrated Passive Device) Process 개발
- IPD 소자 개발 기술을 이용한 고주파 GaN HEMT 소자의 9~10GHz 광대역 Matching Circuit 설계 기술 개발
- X-band 대역의 High Power Hybrid Amplifier 제품의 소형화 및 AlN Board 구조에 적합한 LID sealing 재질 및 Process 개발
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