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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-12 |
과제시작연도 | 2014 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
과제관리전문기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO201500010842 |
과제고유번호 | 1711017700 |
사업명 | 한국과학기술원연구운영비지원(0.5) |
DB 구축일자 | 2015-07-18 |
키워드 | 이중층 전도접착제.마이크로 범프.미세피치 접합.칩 적층.언더필.Non-conductive film (NCF).Through silicon Via (TSV).Micro-bump.Cu-pillar/Sn-Ag bump.Double layer NCF. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201500010842 |
NCF를 사용하는 3D TSV 적층 공정은 주로 thermo-compression (T/C) 방식을 사용하여, 본딩 공정 중에 열과 압력을 가하여 솔더를 용융시키며, 이러한 용융 솔더를 이용하여 동금속 간 접합을 형성한다. 그러나 가해지는 압력에 의해 용융된 솔더의 변형이 이루어져 용융된 솔더가 Cu-pillar의 측면을 타고 올라가는 문제점이 발생한다. 이렇게 솔더가 Cu-pillar 측면에 넓은 면적에 거쳐 wetting이 이뤄질 경우에 솔더와 동금속 간의 계면 반응이 가속화되어, 솔더의 소모가 급속도로 이루어지고, 또한 솔더와
Chip-stacking method for 3D-TSV is performed using thermo-compression bonding method which consists of heating and applying pressure. By this method, solder bump on top chip is wetted on to the pad of substrate, and hence solder joint is formed. However, the applied pressure causes a huge deformatio
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