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NTIS 바로가기주관연구기관 | (주)아인스 |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-07 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 중소기업청 Small and Medium Business Administration |
등록번호 | TRKO201500012867 |
과제고유번호 | 1425073379 |
사업명 | 구매조건부신제품개발사업 |
DB 구축일자 | 2015-08-01 |
키워드 | 양극산화법.봉공처리법.이물.크랙.셀. |
□ 개발목표
계획
ALD는 반도체(웨이퍼)위에 분자 또는 원자단위 물질을 입혀 전기 적 특성을 갖게 하는 것으로 전기적 특성을 유지 하면서 얼마나 균일 하게 입혔는가에 따라 반도체 제품 품질이 좌우되는 핵심 공정으로 개발 목표는 식각률, 증착률, Crack에 의한 Particle특성평가를 통한 고기능성 표면기술적용이며 Life Time은 부식 저항 특성을 기준으로 기존 국산제품대비 약3배 증가이다.
고기능성 표면처리 개발과 이로 인한 ALD장비부품 등 반도체장비 공정라인에 신규설치 및 부품재생용 납품으로의 연계를 목
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