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NTIS 바로가기주관연구기관 | (주)옵토웰 |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-10 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 중소기업청 Small and Medium Business Administration |
등록번호 | TRKO201500017130 |
과제고유번호 | 1425069816 |
사업명 | 구매조건부신제품개발사업 |
DB 구축일자 | 2015-11-10 |
키워드 | 광음극관.갈륨비소에피.광증폭.야간투시경.적외선. |
개발목표
계획
◦ 3세대 영상증폭관의 핵심부품인 GaAs(갈륨비소)계열의 음극광소자(Photocathode)를 개발하는 것이 주요 목표임.
실적
◦ 본 개발에서 에피 웨이퍼의 표면결함 제어기술 및 에피 웨이퍼 증착 기술 확보됨.
◦ 3세대 영상증폭관의 음극광소재인 GaAs 에피웨이퍼 개발 완료.
정량적 목표항목 및 달성도
1. GaAs Epi wafer : 계획(3 inch), 실적(3 inch)
2. GaAs p-type doping : 계획(1 X E19 <), 실적(2E19)<
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