[보고서]대 전력, 고효율 내방사선 RF 스위칭 PIN 다이오드

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[국가R&D연구보고서] 대 전력, 고효율 내방사선 RF 스위칭 PIN 다이오드 원문보기

보고서 정보
주관연구기관	(주)코어벨
보고서유형	최종보고서
발행국가	대한민국
언어	한국어
발행년월	2012-11
과제시작연도	2011
주관부처	중소기업청 Small and Medium Business Administration
연구관리전문기관	한국산업기술평가관리원 Korea Evaluation Institute of Industrial Technology
등록번호	TRKO201500017155
과제고유번호	1425070353
사업명	구매조건부신제품개발사업
DB 구축일자	2015-11-10
키워드	PIN 다이오드.내방사선.RF.

초록 ▼

□ 개발목표
계 획:
대 전력, 고효율 내방사선 PIN 다이오드 개발
실 적:
대 전력, 고효율 내방사선 PIN 오드 개발

□ 정량적 목표항목 및 달성도
1. Series Resistance
계획 : < 0.8Ω
실적 : 2.5Ω
2. Total Capacitance
계획 : < 0.7 pF
실적 : 0.8pF
3. Carrier Life Time
계획 : > 3 uS
실적 : 4.1us
4. Forward Voltage
계획 : < 1.2 V
실적 : 0.9V
5. Leakage Current
계획 : < 1.0 uA
실적 : 20pA
6. Average Power Rating
계획 : > 80 W
실적 : 100W(Single 1us Pulse)
7. Peak Power Rating
계획 : > 15 KW
실적 : 10KW(Single 100us pulse)
8. Voltage Rating
계획 : 800 V
실적 : 780V
9. ESD/Lightning 내성
계획 : > +/-8KV
실적 : > +/-8 KV(100회 이상)

□ 기대효과
。다양한 RF 스위치 플랫폼에 적용이 가능함으로 개발에 따른 파급효과 발생
。부품 국산화로 안정적인 부품 수급
。국내 기술력 강화

□ 적용분야
。Series-shunt compound switch
。Tee compound switch
。Quadrature Hybrid Matched Attenuator
。Hybride-coupler Phase Shifter

목차 Contents

표지 ... 1
제출문 ... 2
요약서(초 록) ... 3
목차 ... 4
제 1 장 개발기술의 개요 ... 5
제 1 절 개발 기술 개요 ... 5
제 2 절 기술 개발의 필요성 ... 8
제 3 절 기술 현황 및 전망 ... 9
제 2 장 개발목표 및 개발내용 ... 10
제 1 절 기술개발 목표 ... 10
제 2 절 세부 개발 내용 및 방법 ... 12
1. 소자 및 공정 설계 ... 12
2. 단위 공정 개발 ... 14
3. Prototype 설계 및 제작 ... 17
4. 특성 평가 및 분석 ... 19
5. 신뢰성 특성 평가 ... 23
6. 실장 특성 평가 ... 24
제 3 장 성과요약 및 기대효과 ... 32
제 1 절 핵심 개발 성과 및 기술 ... 32
제 2 절 개발 기술 사업화 및 마케팅 계획 ... 32
끝페이지 ... 33

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