초록 ▼

□ 개발목표
계획
Thin Flat Package Diode를 개발하여 10A급 Schottky Diode의 1000Hr 신뢰성을 확보하고 시생산 제품을 제조하여 실장평가
실적
Flat Package Diode 개발 완료, 10A급 Schottky Diode 신뢰성 확보, 시생산 제품 제조 및 실장평가 완료

□ 정량적 목표항목 및 달성도
1. Vf 25℃ : 계획(0.45V 이하), 실적(최대 0.4V, 평균 0.398V 만족)
2. Vf 125℃ : 계획(0.37V 이하), 실적(최대

□ 개발목표
계획
Thin Flat Package Diode를 개발하여 10A급 Schottky Diode의 1000Hr 신뢰성을 확보하고 시생산 제품을 제조하여 실장평가
실적
Flat Package Diode 개발 완료, 10A급 Schottky Diode 신뢰성 확보, 시생산 제품 제조 및 실장평가 완료

□ 정량적 목표항목 및 달성도
1. Vf 25℃ : 계획(0.45V 이하), 실적(최대 0.4V, 평균 0.398V 만족)
2. Vf 125℃ : 계획(0.37V 이하), 실적(최대 0.36V, 평균 0.358V 만족)
3. IFSM : 계획(200A 이상), 실적(최소 209A, 평균 227A 만족)
4. Delamination : 계획(10% 이하), 실적(최대 0.41%, 평균 0.03% 만족)
5. Void : 계획(10% 이하), 실적(최대 6.72%, 평균 3.12% 만족)
6. Tc : 계획(1000사이클 이상), 실적(1050사이클 모두 통과)
7. HTRB : 계획(1000시간 이상), 실적(1050시간 모두 통과)
8. AC : 계획(96시간 이상), 실적(101시간 모두 통과)
9. H3TRB : 계획(1000시간 이상), 실적(1050시간 모두 통과)
10. HAST : 계획(96시간 이상), 실적(101시간 모두 통과)

□ 기대효과
본 개발 기술은 기존 3포인트 접합 방식을 1포인트로 줄이면서 접합 면적은 넓혀 전력 효율을 올림과 동시에 생산성을 향상, Automotive급 신뢰성 통과로 전력 반도체에 대한 수요 증가와 더불어 신시장 선점으로 이익 창출.

□ 적용분야
스마트폰의 충전기, 디스플레이, 모든 전기 제품에 적용중인 전력반도체 등에 적용 가능하며 대상 기술을 전력반도체에 확장, 적용할 경우 향후 폭발적인 시장 형성이 가능할 것으로 보임.

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 중소기업 기술개발사업 최종보고서 ... 2
• 제출문 ... 3
• 요약서(초록) ... 4
• 목차 ... 5
• 표목차 ... 6
• 그림목차 ... 6
• 제1장 개발기술의 개요 ... 7
• 제2장 개발목표 및 개발내용 ... 10
• 제1절 기술개발 목표 ... 10
• 제2절 세부 개발내용 및 방법 ... 12
• 제3장 성과요약 및 기대효과 ... 21
• 제1절 핵심 성과 및 기술 ... 21
• 제2절 기대효과 ... 21
• 제3절 사업화 방안 ... 22
• 끝페이지 ... 26