[보고서]Ti 판재의 고효율 부품화 플랫폼 기술

김경택

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[국가R&D연구보고서] Ti 판재의 고효율 부품화 플랫폼 기술 원문보기

보고서 정보
주관연구기관	한국생산기술연구원 Korea Institute of Industrial Technology
연구책임자	김경택
참여연구자	이원식 , 정하국 , 나소정 , 이기림 , 한철웅 , 조규섭 , 김용환
보고서유형	최종보고서
발행국가	대한민국
언어	한국어
발행년월	2015-12
과제시작연도	2015
주관부처	미래창조과학부 KA
과제관리전문기관	한국생산기술연구원 Korea Institute of Industrial Technology
등록번호	TRKO201600001899
과제고유번호	1711034248
DB 구축일자	2016-05-21
키워드	타이타늄,브레이징,박판구조,하니컴구조,플랫폼Ti,Brazing,Thin wall-structure,Honeycomb structure,Platform

초록 ▼

□ 핵심기술
Ti 판재 및 박판의 고진공․고온 Ti 브레이징 공정 기술

□ 개발의 목표
○ Ti 합금용 상용 필러금속 4종 중 최적 필러금속 선정
○ Ti 판재 및 박판의 필러금속별 접합공정 연구 및 특성평가
○ Ti 판재 및 박판의 필러금속 및 접합공정 플랫폼 기술 확립

□ 개발내용 및 결과
Ti 판재 또는 박판을 이용한 하니컴 구조 접합공정조건 최적화를 통한 Ti 판재의 하니컴 구조 접합공정 플랫폼 기술개발
- Ti 판재 및 박판의 하니컴 구조 접합공정 연구 및 특성평가
․ 접합온도별 접합부 미세조직 평가
․ 접합온도별 접합부 내식성 평가
․ 하니컴 구조 접합부 설계 최적화
- Ti 판재 및 박판의 하니컴 구조 접합공정 플랫폼 기술 확립
․ 하니컴 구조 접합부 설계 기술
․ Ti 판재 및 박판의 하니컴 구조 접합공정기술

목차 Contents

표지 ... 1
제출문 ... 2
기관주요사업 요약서(초록) ... 3
목차 ... 5
제 1 장 서론 ... 6
제 1 절 개발기술의 중요성 및 필요성 ... 6
제 2 절 국내·외 관련 기술의 현황 ... 8
제 3 절 기술개발 시 예상되는 기술적·경제적 파급 효과 ... 15
제 2 장 기술개발 내용 및 방법 ... 16
제 1 절 당해년도 목표 및 평가 방법 ... 16
제 2 절 당해연도 개발 내용 및 개발 범위 ... 17
제 3 장 결과 및 향후 계획 ... 18
제 1 절 연구개발 추진 체계 ... 18
1. 연구개발 추진 전략 ... 18
2. 연구개발 추진 체계 ... 19
3. 연구수행 편성도 ... 20
제 2 절 당해년도 연구개발 결과 ... 20
1. 당해년도 연구개발 추진 일정 및 달성도 ... 20
2. 당해년도 연구개발 추진 실적 ... 21
제 3 절 기대효과 및 사업화 계획 ... 71
제 4 장 참고문헌 ... 72
끝페이지 ... 73

표/그림 (28)

표 Schematic illustration showing the changes of the joint area
표 Schematic diagrams of the test procedure.
표 SEM images showing the wetting angle and the microstructure of the interfacebetween filler metal and CP titanium substrate tested for 30 min.
표 Relations between the square root of wetting time and dissolution depth of thespecimen tested for 30 min.
표 Effect of the Cu and Ni contents on dissolution depths; Cu+Ni= 24 at%.
표 Schematic diagram showing the differences of the dissolution depth withvarious Ni contents.
표 Compared with dissolution depth between the Zr-Ti-Ni-Cu filler metalsdeveloped in this study and conventional filler metals.
표 Back scattered electron images of the joint interface brazed at 850℃ for 30 minwith increasing the Cu contents in the filler metals
표 XRD patterns of the dissolved region and the transformed region tested at850℃ for 30 min.
표 SEM images showing the wetting angle and the microstructure of the interfacebetween filler metal and Ti-6Al-4V substrate tested for 30 min.
표 Relations between the square root of wetting time and dissolution depth ofthe specimen tested for 30 min.
표 Effect of the Cu and Ni contents on dissolution depths; Cu+Ni= 24 at%.
표 Compared with the dissolution depth between the Zr-Ti-Ni-Cu filler metalsand conventional filler metals.
표 Back scattered electron images of the joint interface brazed at 850℃ for 30min with increasing the Cu contents in the filler metals
표 XRD patterns of the dissolved region and the transformed region tested at850℃ for 30 min.
표 Differences of the dissolution depth between CP titanium and Ti-6Al-4Vsubstrate with various brazing temperature using Zr54Ti22Ni16Cu8 filler metal.
표 Microstructure of the CP titanium, (a) and (b), and Ti-6Al-4V, (c) and (d),substrate tested at 800℃ ; (a) 1 min, (b) 30 min, (c) 1 min and (d) 30 min.
표 Microstructure and EDS analysis of the Ti-6Al-4V substrate tested at 800℃ for1 min using Zr54Ti22Ni16Cu8 filler metal.
표 SEM images showing the wetting angle and the microstructure of the interfacebetween filler metal and β-21S substrate using Zr54Ti22Ni16Cu8 filler metal
표 Relations between the square root of wetting time and dissolution depth ofthe specimen tested for 30 min using Zr54Ti22Ni16Cu8 filler metal.
표 Back scattered electron images of the joint interface using Zr54Ti22Ni16Cu8 fillermetal
표 XRD patterns of the dissolved region and the base metal region of the jointinterface using Zr54Ti22Ni16Cu8 filler metal.
표 Schematic diagram showing the phase transformation of the Zr based fillermetal to Ti based alloy by dissolution of the titanium base metal at 850℃.
표 Joint microstructure and line profile result of the solid state diffusion bondedCP titanium tested at 850℃ for 10 h using Ni50Cu50 filler metal.
표 Dissolution depths of the CP titanium, Ti-6Al-4V and β-21S substrate withincreasing the brazing temperature using Zr54Ti22Ni16Cu8 filler metal.
표 Configuration of honeycomb structure brazed at 900℃
표 Configuration of honeycomb structure brazed at 950℃
표 Configuration of honeycomb structure brazed at 900~950℃

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참고문헌 (25)

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