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NTIS 바로가기주관연구기관 | 케이맥(주) |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-09 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
과제관리전문기관 | 연구개발특구진흥재단 Innopolis Foundation |
등록번호 | TRKO201600008845 |
과제고유번호 | 1415126596 |
사업명 | 연구개발특구육성 |
DB 구축일자 | 2016-09-24 |
키워드 | Gate Oxide.Ultra Shallow Junction.Composition Analysis.Direct Recoil.Light Elements. |
핵심기술
TOF 방식을 기반으로 한 중 에너지 이온산란 및 Direct Recoil 시스템 구축을 통한 비 파괴적, 정성, 절대 정량분석 기술 및 장비
사업화 배경
❍ 반도체 산업에서 생산원가 중 소자측정 분석기술의 비중 급격히 증가, 품질관리를 위해 최고 수준의 나노 분석기술이 요구됨.
❍ 기존 분석기술의 한계
–반도체 소자의 집적도가 지속적으로 높아지면서 Gate oxide 두께는 1 nm이하, USJ 깊이는 6 nm로 얇아져 기존 분석기술의 한계를 넘고 있다.
–Gate oxide가 얇아
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