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NTIS 바로가기주관연구기관 | (주)테스 |
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연구책임자 | 오명석 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-07 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201800040215 |
과제고유번호 | 1711041043 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2018-09-22 |
키워드 | 유기금속화학증착장비.갈륨나이트라이드.파워소자.epitaxy. |
핵심기술
고내압 전력반도체용 MOCVD 장비 개발 및 공정 개발
최종목표
○ MOCVD 장비 개발
6inch / 8inch bridge type
PM 주기:25 run 이상, 두께 균일도(1σ): 2% 이하
○ 600V급 고효율 전력소자용 GaN-on-Si epitaxy 개발
Wafer bow: 50㎛ 이하, 불순물 농도: 1×E19이상 항복전압: 600V 이상
개발내용 및 결과
○ 성공적인 MOCVD 장비 개발을 위해서는 장비개발과 동시에 공정개발 역시 필수임
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