초록 ▼

핵심기술
Ion beam 처리, 열처리 장치 및 공정, Bias 스퍼터 공정을 이용한 고부착성의 균일한 박막 증착기술

최종목표
대면적 Rigid PCB 기재 표면처리용 Dual ion-beam 개발
In-situ 스퍼터링으로 peel strength 0.6kgf/cm 이상의 FCCSP 기재 개발
15/15 μm 패턴형성을 위한 FCCSP 기재 양산화 적용 가능한 공정 테스트

개발내용 및 결과
1. PCB 처리를 위한 전처리용 모듈 개발 제작
- Vertical linear

핵심기술
Ion beam 처리, 열처리 장치 및 공정, Bias 스퍼터 공정을 이용한 고부착성의 균일한 박막 증착기술

최종목표
대면적 Rigid PCB 기재 표면처리용 Dual ion-beam 개발
In-situ 스퍼터링으로 peel strength 0.6kgf/cm 이상의 FCCSP 기재 개발
15/15 μm 패턴형성을 위한 FCCSP 기재 양산화 적용 가능한 공정 테스트

개발내용 및 결과
1. PCB 처리를 위한 전처리용 모듈 개발 제작
- Vertical linear type dual ion-beam source 설계/제조
- Diffusion mode diffusion plasma ion treatment 설계/제조
- Sheath heater / mid IR heater 조합을 통한 열처리 모듈설계/제조
2. In-situ pre-treatment / sputtering 900×1100mm 공정 장치 개발
- adhesion / seed layer sputter, bias sputter module 개발
3. In-line 공정을 위한 장치의 개발 및 최적화
- 고효율 rotatable cathode 적용
- cassette loadlock, sputter chambers, unloadlock 등 pipe line process 적용 간섭 최소화, 공정효율화
4. Sheath-MIR / plasma - ion treatment / Adhesion-Seed layer 공정최적화
- de-gassing 열처리 공정 최적화 : Heat Uni. 7.69% 확보
- 소재 표면 물리적 처리 기술 확보 : Etching Uni. 2.38%
- 반응성 가스를 적용한 plasma / IB 공정 적용으로 기재에 화학적 특성 향상 최적화 : 밀착력 0.60 kgf/cm 이상 확보
5. Bias sputtering을 이용한 seed 증착으로 대면적 기재 밀착력 0.60 kgf/cm 공정개발
- 대면적 기재 상에 균일성과 밀도 향상, 부착성 향상 공정구현
: THK Uni. 2.0%, Peeling Strength 0.60 kgf/cm 이상

기술개발 배경
FC-CSP용 패키지 기재는 기존 PCB 기재에 비해 미세 선폭을 구현해야 함. 기존 PCB에 전기도금 seed 막으로 화학도금방식을 이용한 SAP(semi additive process) 또는 foil과 primer resin을 적용한 MSAP (modified semi-additive process)공정은, line/space의 패턴형성의 한계가 25um/25um 이하로는 구현하기 어려움.
Seed 박막으로 Cu의 진공증착이 가능하나, 유기소재 기재와의 부착성과 균일성을 확보하여야 양산에 적용할 수 있음.
sputter기술과 부가기술들을 이용한 증착된 고부착성 박막공정을 개발함으로써 기존 공정 대비 패턴선폭을 줄여 고집적 패키지 기재를 제작해야 함.

핵심개발 기술의 의의
기존 화학도금 공정을 대체할 신공정으로 고정세 미세회로 품질 향상 및 친환경 공법 개발. 플라스틱 기반 금속박막 코팅의 다양한 적용대상 확대를 통한 경쟁력 확보

적용분야
Rigid PCB 및 FPCB, FC-CSP 분야 화학도금 대체
활용성이 넓은 플라스틱 기재의 고부착성 금속박막 코팅공정