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NTIS 바로가기주관연구기관 | 삼성전자 Samsung Electronics Co., Ltd. |
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연구책임자 | 남석우 |
참여연구자 | 주영창 , 양철웅 , 조만호 , 지승훈 , 백승재 , 김용태 , 박정현 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2015-04 |
과제시작연도 | 2014 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
과제관리전문기관 | 한국산업기술평가관리원 Korea Evaluation Institute of Industrial Technology |
등록번호 | TRKO201600018206 |
과제고유번호 | 1711017664 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2017-09-20 |
키워드 | 다층정보저장.상변화메모리.비휘발성.칼코게나이드 상변화 재료.30nm MLC. |
□ 최종목표
○ 30nm급 MLC PRAM TEG(단위 Cell) 공정이 적용된 Wafer 및 단위 Cell의 TEM profile
○ 30nm급 MLC PRAM TEG에서 구현된 Multi level(>3) cell data
○ 30nm급 MLC PRAM TEG에서 측정된 특성치 Data
(On/Off ratio, Endurance, Retention, Jreset @목표달성된)
□ 개발내용 및 결과
고체 반도체 물질의 규칙배열상과 불규칙배열상 사이의 저항 차이를 이용하여 정보를 저장하는 상
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