초록 ▼

□ 최종목표
차세대 이온도핑 공정을 위한 300mm급 플라즈마 이온 도핑장비의 개발을 위하여 플라즈마 도핑용 정천척 및 고전압 펄스 전원장치의 개발과 장비 Monitoring System, 플라즈마 도핑 공정을 개발하고자 함.

□ 개발내용 및 결과
1. 플라즈마 소스 및 챔버 개발
- Plasma Density & Uniformity: >1×10¹¹/㎤, <3.0%
2. 정전척 개발
- ESC Chucking Force: 3kgf/㎠ @700V
- Leakage Cur

□ 최종목표
차세대 이온도핑 공정을 위한 300mm급 플라즈마 이온 도핑장비의 개발을 위하여 플라즈마 도핑용 정천척 및 고전압 펄스 전원장치의 개발과 장비 Monitoring System, 플라즈마 도핑 공정을 개발하고자 함.

□ 개발내용 및 결과
1. 플라즈마 소스 및 챔버 개발
- Plasma Density & Uniformity: >1×10¹¹/㎤, <3.0%
2. 정전척 개발
- ESC Chucking Force: 3kgf/㎠ @700V
- Leakage Current: <3㎂
- Wafer Temp. Difference: <5℃
3. 고전압 펄스 전원장치 개발
- Pulse Voltage & Frequency: 0~12kV, 0~10kHz
- Pulse Voltage Rise/Fall Time: <0.7㎲
4. 도핑 공정개발
- Dose Level: 1×10¹³~2×10¹⁷/㎠
- Junction Depth & Dose Uniformity
- Metal Contamination: <5×10¹¹/㎠
- Throughput: 33wafers/hr
5. Monitoring System 개발
- Micro-arcing Detector & Leak Detector, Dose Counter

□ 기술개발 배경
Device가 미세화 되면서 이온주입 깊이는 낮아지고 고농도 이온 주 입을 필요로 하는 Doping Step의 증가와 미세화의 한계로 인하여 FinFET과 같은 Vertical 구조의 3D Device를 위한 Conformal Doping 기술의 필요에 대응하기 위하여 개발함.

□ 핵심개발 기술의 의의
플라즈마 소스와 정전척, 고전압 펄스 전원장치를 국내 기술로 개발함에 따라 핵심부품의 국산화와 함께 국내 기업의 기술 경쟁력을 높임.

□ 적용 분야
현재는 반도체 DRAM 제품에 적용하고 있으나 새로운 Logic 제품 개발에도 적용을 검토하고 있으며, 대면적의 고밀도 플라즈마 소스 기술 개발을 통하여 TFT-LCD의 저온폴리(LTPS)공정용 Source/Drain 도핑에 적용할 수 있음.

( 출처 : 초록 )

목차 Contents

• 표지 ... 1제출문 ... 2기술개발사업 최종보고서 초록 ... 3기술개발사업 주요 연구성과 ... 7목차 ... 11제 1 장 서론 ... 12 제 1 절 과제의 개요 ... 12 제 2 절 국내 ․ 외 관련 기술의 현황 ... 15 제 3 절 기술개발 시 예상되는 기술적 ․ 경제적 파급 효과 ... 16제 2 장 과제 수행의 내용 및 결과 ... 20 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 20 제 2 절 단계 목표 및 평가 방법 ... 21 제 3 절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 22 제 4 절 수행 결과의 보안등급 ... 36 제 5 절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리 현황 ... 36제 3 장 결과 및 사업화 계획 ... 37 제 1 절 연구개발 최종 결과 ... 37 1. 연구개발 추진 일정 ... 37 2. 연구개발 추진 실적 ... 41 3. 기술개발 결과 ... 91 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 98 1. 각 기관/기업별 역할 ... 98 2. 세부개발 구성도 ... 98 3. 추진체계 ... 99 4. 추진 내역 ... 99 제 3 절 시장 현황 및 사업화 전망 ... 100 제 4 절 고용 창출 효과 ... 101 제 5 절 자체보안관리진단표 ... 102끝페이지 ... 103