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NTIS 바로가기주관연구기관 | 퀀텀디바이스(주) |
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연구책임자 | 이해권 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-08 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 지식경제부 Ministry of Knowledge Economy |
등록번호 | TRKO201700001425 |
과제고유번호 | 1415125092 |
사업명 | 부품소재산업경쟁력향상(소재부품기술개발) |
DB 구축일자 | 2019-11-16 |
키워드 | GaN계 LED.투명전극.단결정 ZnO.ITO.VF.Power. |
1. 최종 개발목표
1) ZnO 투명전극 - 단결정 박막, 면저항 : 35Ω/□, 광투과도 : 88%
2) ZnO적용 LED Chip - VF(V)/Po(㎽) : 2.85V/15%up @800x300㎛² , 수율 : 80%
- VF(V)/Po(㎽) : 2.95V/15%up @850x600㎛² , 수율 : 80%
- VF(V)/Po(㎽) : 3.00V/15%up @1200x700㎛² , 수율 : 80%
2. 개발내용 및 결과
1) ZnO 투명전극 - MBE 장비를 이용한 높은 광투과도 및 도핑을
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