초록 ▼

연구결과
MIT 현상규명을 위하여 MIT 물질 VO₂ 에서 코히런트 포논의 온도의존성을 조사하여 M2 구조에서 구조 상전이를 겪지 않는 MIT 현상을 최초로 관측한다. 또 나노 레벨급 광전도도와 라만산란 실험을 동시에 관측하여 구조상전이 없는 MIT 를 관측한다. 그리고 국제공동연구로서 나노레벨에서 팸토초 기술로 MIT 현상을 측정하였다.

MIT 의 대표적인 강상관 물질인 VO₂ 를 Pulsed Laser Deposition(PLD) 방법으로 산소분압을 조절하여 박막을 제조하

연구결과
MIT 현상규명을 위하여 MIT 물질 VO₂ 에서 코히런트 포논의 온도의존성을 조사하여 M2 구조에서 구조 상전이를 겪지 않는 MIT 현상을 최초로 관측한다. 또 나노 레벨급 광전도도와 라만산란 실험을 동시에 관측하여 구조상전이 없는 MIT 를 관측한다. 그리고 국제공동연구로서 나노레벨에서 팸토초 기술로 MIT 현상을 측정하였다.

MIT 의 대표적인 강상관 물질인 VO₂ 를 Pulsed Laser Deposition(PLD) 방법으로 산소분압을 조절하여 박막을 제조하여 그 박막의 특성을 저항의 온도의존성, SEM과 XRD 등의 물성 분석을 통해 임계특성의 변화를 관측조사 한다. 그 박막의 대량생산을 위하여 Si 기판 위에 VO₂ Epi 박막을 제조한가.

MIT Critical Temperature Switch(CTS)를 이용하여 MIT 전자개페기와 차단기 MIT CTS 와 NDR 스위칭을 LED 발광에 적용하여 MIT-NDR 현상을 이용하는 램프를 발명하였다. 자동차 라디에이터 팬모터의 과전류 방지를 위하여 다이오드 레지스터를 새롭게 발명한다.

(출처 : 요약문 4p)

Abstract ▼

Ⅳ. RESULTS
We measured a separation between the MIT and the structural phase transition in M2 of a representative strongly correlated VO₂, observing of coherent phonons using the femtosecond technique, which is suggested as evidence of the Mott transition. Moreover, the percolation in

Ⅳ. RESULTS
We measured a separation between the MIT and the structural phase transition in M2 of a representative strongly correlated VO₂, observing of coherent phonons using the femtosecond technique, which is suggested as evidence of the Mott transition. Moreover, the percolation in M2 is also observed. The MIT not accompanied with the structural phase transition is observed in a nanolevel by measuring photocurrent and Raman scattering. The MIT mechanism is revealed. As the MIT application. the LED lamp replacing the fluorescent lamp is invented using the NDR-MIT switching. Moreover, a resistor using power diode, controlling a speed of radiator fan Motor in Motorcar, is developed.

(출처 : ABSTRACT 7p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 인 사 말 씀 ... 2
• 제 출 문 ... 3
• 요 약 문 ... 4
• ABSTRACT ... 7
• CONTENTS ... 9
• 목차 ... 12
• 표목차 ... 15
• 그림목차 ... 16
• 제 1 장 ETRI 주요 사업, 금속-절연체 전이 (Metal-Insulator Transition：MIT) 현상규명 및 응용기술 개발 과제 ... 28
• 제1절 사업 개요 ... 28
• 제2절 사업 목표 및 내용 ... 28
• 제3절 사업 수행 체계 ... 29
• 제4절 보고서 체계 ... 30
• 제 2 장 2014년 금속-절연체 전이 현상규명 및 응용기술 개발 ... 31
• 제1절 연구목표 ... 31
• 제2절 연구내용 ... 33
• 1. EFFECT OF OXYGEN PARTIAL PRESSURE ON THE PROPERTIES OF VO2 FILMS GROWN BY PULSED LASER DEPOSITION METHOD ... 33
• 2. MODIFICATION OF METAL-INSULATOR TRANSITION IN VO2 FILMS GROWN ON TIO2 SUBSTRATES ... 41
• 3. THERMOPOWER SWITCHING IN METAL-INSULATOR TRANSITION MATERIALS ... 46
• 4. 솔-겔 법으로 성장된 V1-xWxO2(0 ≤ x ≤ 4.0 at . %) 박막에서의 텅스텐 불순물이 미치는 영향과 그 전기적 구조적 특성 및 소자제작 ... 53
• 제3절 연구성과 ... 64
• 제 3 장 2015년 금속-절연체 전이 현상규명 및 응용기술 개발 ... 67
• 제1절 연구목표 ... 67
• 제2절 연구내용 ... 68
• 1. Measurements of Current vs Time switching speed in the AC MIT switchgear ... 68
• 2. Correlation between electrical and structural properties of the nanothick VO2 films ... 74
• 3. MIT 전자개폐기와 차단기 개발 ... 77
• 제3절 연구성과 ... 95
• 제 4 장 2016년 금속-절연체 전이 현상규명 및 응용기술 개발 ... 98
• 제1절 연구목표 ... 98
• 제2절 연구내용 ... 102
• 1. Photoheat-Induced Schottky Nanojunction and Indirect Mott Transition in VO2 : Photocurrent Analysis ... 102
• 2. Epitaxial growth of higher transition-temperature VO2 films on AlN/Si ... 115
• 3. Local control of the strain in ultrathin VO2 films by substrate patterning ... 127
• 4. Room temperature stabilization of the M2 phase in strained VO2 films observed by high-resolution transmission electron microscopy ... 133
• 5. In-situ measurements of the phase dynamics in ultrathin VO2 films ... 137
• 6. 임계온도스위치 (CTS)를 활용한 교류전자개폐기 개발 ... 140
• 7. LED 형광등 개발 ... 151
• 8. 다이오드 레지스터 개발 ... 163
• 제3절 연구성과 ... 171
• 제 5 장 결론 및 건의사항 ... 173
• 제1절 결론 ... 173
• 제2절 건의사항 ... 174
• 계량 실적 ... 175
• 참고문헌 ... 183
• 약어표 ... 186
• 끝페이지 ... 187