초록 ▼

□ 염료감응/III-V 나노선/Si 구조의 텐덤형 태양전지의 고효율을 위한 후면전계(BSF) 공정 기술 개발 및 최적화
(1) p-type BSF 형성 공정 기술 개발(기판 면적 2inch 이상)
- BSF 깊이 1~5㎛(목표 깊이 1~5㎛)
- BSF 농도 2.3x10¹⁹cm^-3 (목표 농도 10¹⁸ cm^-3)

(2) n-type BSF 형성 공정 기술 개발(기판 면적 2inch 이상)
- BSF 깊이 1~5㎛(목표 깊

□ 염료감응/III-V 나노선/Si 구조의 텐덤형 태양전지의 고효율을 위한 후면전계(BSF) 공정 기술 개발 및 최적화
(1) p-type BSF 형성 공정 기술 개발(기판 면적 2inch 이상)
- BSF 깊이 1~5㎛(목표 깊이 1~5㎛)
- BSF 농도 2.3x10¹⁹cm^-3 (목표 농도 10¹⁸ cm^-3)

(2) n-type BSF 형성 공정 기술 개발(기판 면적 2inch 이상)
- BSF 깊이 1~5㎛(목표 깊이 1~5㎛)
- BSF 농도 2.22x10¹⁹cm^-3 (목표 농도 10¹⁸ cm^-3)

□ 염료감응/III-V 나노선/Si 구조의 텐덤형 태양전지의 대면적화 및 고효율를 위한 대면적 damage free TCO 증착 기술 개발 및 최적화 (기판 면적 2inch 이상)
- TCO 투과율 : ITO 89.34%, AZO 89.69% (목표 투과율 85%)
- TCO 비저항 : ITO 2.70x10^-4Ωcm, AZO 5.33x10^-4Ωcm (목표 비저항 4.0x10^-4Ωcm)
- ITO 박막 균일도 : 3.1 %, AZO 박막 균일도 : 1.89% (목표 박막 균일도 ±10% 이하)
-. E-beam deposition ITO thin film 투과율 : 85.01 %
-. E-beam deposition ITO thin film 비저항 : 3.2 x 10^-4Ωcm
-. E-beam deposition ITO thin film 박막 균일도 : 3.589 %

□ 지식재산권
- 특허 출원 : 급속 열처리 장치(10-2015-0070619)
- 특허 등록 : 기판 열처리 장치(10-2014-0035996)

( 출처 : 요약서 3p )

Abstract ▼

Si substrate of tandem solar cell are chosen of p-type or n-type on account of work function at the tandem solar cell boundary. p+ BSF layer of the conventional p-type crystalline silicon solar cell is not need addition doping process owing to formation at the firing process using the Al paste. Howe

Si substrate of tandem solar cell are chosen of p-type or n-type on account of work function at the tandem solar cell boundary. p+ BSF layer of the conventional p-type crystalline silicon solar cell is not need addition doping process owing to formation at the firing process using the Al paste. However n+ BSF layer of the conventional n-type crystalline silicon solar cell is need addition doping process.

In This study, we have developed a process to form the n+ BSF layer and p+ BSF layer using the manufacturing systems of a conventional crystalline silicon solar cell for high efficiency DSSC/III-V nanowire/Si tandem solar cell

(1) Development of p-type BSF formation process technology (Substrate size over 2 inch)
- BSF depth 1～5㎛, BSF doping concentration 2.3×10¹⁹cm^-3

(2) Development of n-type BSF formation process technology (Substrate size over 2 inch)
- BSF depth 1～5㎛, BSF doping concentration 2.22×10¹⁹cm^-3
Portion of sunlight is absorbed into the upper solar cells and remains of sunlight is absorbed into the lower solar cell. At this time,electrons are generated by absorbed sunlight, generated electron in the upper solar cell has to be connected to the electrical generated electron at the lower solar cell. So, TCO which connects upper solar cell and lower solar cell has electrical and optical excellent properties.

We have developed large area damage free TCO deposition process for large area, high efficiency DSSC/III-V nanowire/Si tandem solar cell (Substrate size over 2 inch)
- TCO transmittance : ITO thin film 89.34%, AZO thin film 89.69%
- TCO resistivity : ITO thin film 2.70×10^-4Ω㎝, AZO thin film 5.33×10^-4Ω㎝
- TCO thin film thickness uniformity : ITO thin film 3.1%, AZO thin film 1.89%
-. E-beam deposition ITO thin film transmittance : 85.01 % (thickness: 2326Å, wavelength 400nm～740nm)
-. E-beam deposition ITO thin film resistivity : 3.2 × 10^-4 Ω㎝ (thickness: 2326Å)
-. E-beam deposition ITO thin film thickness uniformity : 3.589 % (thickness: 2326Å)

DSSC/III-V nanowire/Si tandem solar cells is proposed for the fist time. We therefore initiate solar cell technology that can produce original patent
- IPRs(Intellectual property rights)
- Patent application : Rapid thermal processing apparatus (10-2015-0070619)
- Registration of a patent : Apparatus for firing substrates (10-2014-0035996)

( 출처 : SUMMARY 9p )

목차 Contents

• 표지 ... 1제 출 문 ... 2보고서 요약서 ... 3요 약 문 ... 5SUMMARY ... 9CONTENTS ... 11목차 ... 12제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 13 1 절 연구개발의 목적 ... 13 2 절 연구개발의 필요성 및 범위 ... 16제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 19 1 절 국내·외 기술개발현황 ... 19 2 절 연구결과가 국내·외 기술개발현황에서 차지하는 위치 ... 20제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 21 1 절 이론적 실험적 접근방법 ... 21 2 절 연구내용 및 결과 ... 26제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 53 1 절 연구개발 목표 및 목표달성도 ... 53 2 절 기술발전 기여도 ... 64제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 65 1 절 추가연구의 필요성 ... 65 2 절 타 연구에의 응용 ... 66 3 절 기업화 추진방안 ... 67제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 68 1 절 해외과학기술정보 ... 68제 7 장 참고문헌 ... 71끝페이지 ... 72