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NTIS 바로가기주관연구기관 | 아주대학교 Ajou University |
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연구책임자 | 허준석 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-10 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201700010459 |
과제고유번호 | 1711029431 |
사업명 | 신진연구자지원 |
DB 구축일자 | 2017-10-12 |
키워드 | 반도체 검출기.반도체 광원.중적외선.나노와이어.반도체 유연 소자.반도체 박막 전사.양자점.양자우물.터널링 비율.Semiconductor detector.Semiconductor light source.Mid-infrared.Nanowire.Semiconductor flexible device.Semiconductor thin film transfer.Quantum dot.Quantum well.Tunneling ratio. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201700010459 |
□ 연구의 목적 및 내용
기존 양자 우물 기반 intersubband 중적외선 광전소자는 2차원 양자 우물 구조의 한계로 TE polarization의 불가, 낮은 내부 효율 등의 문제점들이 있었으며, 2-4 μm 중적외선에 대해서 상온(고온) 동작의 안정성을 확보할 수 없었다. 본 연구에서는 이들 문제점들을 해결하고 보다 효율적인 중적외선 광원 및 검출기를 실현하기 위한 원천기술로 0차원 나노구조를 이용하여 다음과 같은 연구를 수행하였다.
1)0차원 양자점과 2차원 양자 우물 간 tunneling rate 분석 방법 개
□ Purpose& contents
Among the existing quantum well-based intersubband infrared photoelectric devices, there are problems such as inefficiency of TE polarization and low internal efficiency due to the limitation of the two-dimensional quantum well structure, and the stability of the room temperat
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