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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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연구책임자 | 김은규 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-03 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201700011741 |
과제고유번호 | 1711030728 |
사업명 | 중견연구자지원 |
DB 구축일자 | 2017-10-12 |
키워드 | 태양전지.중간밴드.화합물 반도체.엘립소메트리.외부양자효율.Solar cell.Intermediate band.Cr-doped ZnTe.Pulsed Laser Deposition.Remote plasma.Compound semiconductor.Ellipsometry.Zn(Se.Te).External quantum efficiency. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201700011741 |
연구의 목적 및 내용
- 본 연구의 목적은 Pulsed Laser Deposition 을 이용한 물리적 증착법을 사용하여 밴드갭이 넓은 중간 밴드 ZnTe 박막 성장조건을 최적화하고, 불순물을 삽입하여 형성되는 중간밴드의 위치, 불순물 주입농도를 제어하는 기술을 개발한다. 이를 바탕으로 신재생에너지 시장에서의 국가경쟁력을 재고할 수 있는 고효율 적층형 중간밴드계 화합물 태양전지 구조를 형성하고, 태양광 소자 시제품을 제작하는 것이다.
- 연구내용은 (1)스퍼터 및 remote-plasma pulse laser de
Purpose& contents
- In this research, the growth condition of ZnTe intermediate band thin fillm was optimized, and the technology of forming of intermediate band in ZnTe thin film by using impurity doping was developed. Based on the technology, The high efficiency ZnTe-based intermediate band sol
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