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전이금속 도핑을 통한 In-Sb-Te 기반 상변화물질의 물성 변형 유도 및 이를 이용한 멀티 비트 비휘발성 메모리소자 응용에 관한 연구
Study of meterial properties with transition metals doped In-Sb-Te based phase-change materials and its applications 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 포항공과대학교 산학협력단
Pohang University of Science and Technology
연구책임자 이영미
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2016-05
과제시작연도 2015
주관부처 미래창조과학부
Ministry of Science, ICT and Future Planning
등록번호 TRKO201700013376
과제고유번호 1345238355
사업명 이공학개인기초연구지원
DB 구축일자 2017-11-18
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201700013376

초록 ▼

멀티 비트 비휘발성 메모리 소자 개발에 있어 상변화 재료에 대한 물성 분석 기술 개발은 소자 개발 방향 및 모델링, 제어메커니즘, 기반 특성 평가 기술 등을 수행할 수 있는 중요한 핵심 요소이다. PRAM 소자의 기반 물질인 상변화 물질은 작은 온도 상에서 비정질과 결정질의 구조 변화와 더불어 저항 값의 급격한 변화 특성을 가지고 있다. 이러한 상변화 물질을 이용한 PRAM 소자 개발을 위해서는 상변화 현상의 열, 응력/소자 모델링 및 제어 메커니즘에 대한 이해가 필수적이며, 이를 토대로 소자로서의 집적화 기술을 위한 단위 공정 및

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 목차 ... 2
  • Ⅰ. 연구결과 요약문 ... 3
  • Ⅱ. 연구내용 및 결과 ... 4
  • 1. 연구과제의 개요 ... 4
  • 2. 국내외 기술개발 현황 ... 5
  • 3. 연구수행 내용 및 결과 ... 5
  • 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ... 6
  • 5. 연구결과의 활용계획 ... 6
  • 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 6
  • Ⅲ. 연구성과 ... 7
  • 끝페이지 ... 8

참고문헌 (25)

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