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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서강대학교 Sogang University |
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연구책임자 | 범진욱 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-06 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201700014017 |
과제고유번호 | 1345236314 |
사업명 | 이공학개인기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2017-11-25 |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201700014017 |
1차 년도 실적 : 1) GAPD 자체 개발 2) 온도, 공정, degradation에 무관한 바이어스 회로 설계
기존에 개발한 PIN type 다이오드 이외에 Deep N-well 타입의 GAPD를 자체적으로 설계 제작하였다. Deep N-well 부분의 추가로 더 넓은 파장의 photon을 받아들일 수 있다는 장점과 isolation이 PIN type에 비해 더 좋은 성능을 가지며 gain이 더 크다는 장점이 있다. 빛을 수광부에 집젓시키기 위해 수광부 이외 지역에 blocking layer를 두어 빛을 차단하였다. 또한
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