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NTIS 바로가기주관연구기관 | 세종대학교 Sejone university |
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연구책임자 | 서순애 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-06 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201700015036 |
과제고유번호 | 1711023911 |
사업명 | 신진연구자지원 |
DB 구축일자 | 2017-11-25 |
키워드 | 그래핀.이종접합.금속-비금속 상전이.전이금속디칼고지나이드.쇼트키 장벽.가변문턱전압.배리스터(배리어+트랜지스터).저차원 접합.계면.Graphene.Heterostructure.Metal-insulator phase transition.Transiton metal dichalcogenide.Shottky barrier.Threshold voltage.Barristor (barrier+transistor).2D materials.Interface. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201700015036 |
연구결과
1) 그래핀/VO2 heterojunction (HJ): 패터닝한 CVD 그래핀 위에 VO2를 증착하면 그래핀이 잘 보이지 않아 소자 제작에 어려움이 있어 HNO3를 이용하여 에칭시간 1min 조건을 잡았으나 표면을 확인하였을 때 그래핀이 damage를 입음을 확인. 라만 측정시 그래핀의 D픽도 매우 증가. VO2 증착 조건을 다시 잡고 있는 중.
2) ZnO, LiF와 같은 산화물을 이용한 그래핀의 안정적인 도핑
극성이 큰 LiF를 이용하여 그래핀의 charged impuirty를 screening시켜 그
Result
1)Graphene/VO2 hetero junction (HJ) : VO2 deposition on patterned CVD graphene blocks distinguishing graphene location and device fabrication. Introduced etching process using HNO3 1minute cause damage on graphene. Confirmed observing raman spectroscopy of graphene D-peak increasing. Focus
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